[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底；

将一栅极层形成于所述第一基底上；

将一栅极绝缘层形成于所述第一基底上，并覆盖所述栅极层；

将一非晶硅层形成于所述栅极绝缘层上；

将一金属层形成于所述非晶硅层上；

将一感光性光阻层形成于所述金属层上；

将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽；

进而形成一源极层和一漏极层；

剥离所述感光性光阻层；以及

将一钝化层形成于所述源极层上；

其中，在所述感光性光阻层进行一烘烤制程，使感光性光阻层发生一定程度的流淌，产生一保护层，以覆盖非主动开关沟道区域的金属层。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将一感光性光阻层形成于所述金属层上的步骤包括：

涂布所述感光性光阻层，使其膜厚≥2.5μm；

通过光罩进行曝光处理，同时减小主动开关沟道处对应的所述感光性光阻层的膜厚，并在所述主动开关的沟道处形成一个凹槽，使得所述凹槽的膜厚≤0.5μm。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽的步骤包括：

进行第一次湿蚀刻包括：

对所述金属层进行第一次湿蚀刻，并蚀刻掉未被所述感光性光阻层所涵盖的所述金属层。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽的步骤包括：

进行第一次干蚀刻包括：

对所述非晶硅层进行蚀刻，蚀刻掉未被所述感光性光阻层所涵盖的所述非晶硅层；

以及对所述感光性光阻层进行一烘烤制程，用来包住所述金属层；以及

进行第二次干蚀刻包括：

对所述感光性光阻层的主动开关沟道处进行灰化，并蚀刻掉所述感光性光阻层的所述凹槽，暴露出部分所述金属层。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽的步骤包括：

进行第二次湿蚀刻包括：

对主动开关沟道处的暴露出的部分所述金属层进行蚀刻，形成所述源极层和所述漏极层，并暴露出部分所述非晶硅层。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽的步骤包括：

进行第三次干蚀刻包括：

透过惰性气体或氮离子体，蚀刻暴露出的部分所述非晶硅层，使所述非晶硅层形成一凹槽。

7.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气。

8.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氮离子体中的氮元素为氮族元素及其化合物所提供。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为氮化硅，氧化硅，氮氧化硅，氧化铝，或氧化铪。