[发明专利]阵列基板的制造方法

说明书

本发明一种阵列基板的制造方法，阵列基板的制造方法包括：提供一第一基底；将一栅极层形成于所述第一基底上；将一栅极绝缘层形成于所述第一基底上，并覆盖所述栅极层；将一非晶硅层形成于所述栅极绝缘层上；将一金属层形成于所述非晶硅层上；将一感光性光阻层形成于所述金属层上；将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽；进而形成一源极层和一漏极层；剥离所述感光性光阻层；以及将一钝化层形成于所述源极层上；其中在所述感光性光阻层进行一烘烤制程，使感光性光阻层发生一定程度的流淌，产生一保护层，以便覆盖非主动开关沟道区域的金属层。

技术领域

本发明涉及一种制造方式，特别是涉及一种阵列基板的制造方法。

背景技术

随着科技进步，具有省电、无幅射、体积小、低耗电量、平面直角、高分辨率、画质稳定等多项优势的液晶显示器，尤其是现今各式信息产品如：手机、笔记本电脑、数字相机、PDA、液晶屏幕等产品越来越普及，亦使得显示器的需求量大大提升。因此如何满足日益要求高分辨率的画素设计，且具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的开关阵列液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。其中，阵列基板为组立显示器的重要构件之一。

而非晶硅(a-Si:H)薄膜晶体管(TFT)被应用在显示面板的驱动背板中，其工艺技术相对稳定，技术较为成熟，低廉的价格使其广泛应用在目前LCD显示行业。近几年发展起来的四道光罩(4PEP)技术进一步提高了非晶硅(a-Si:H)薄膜晶体管(TFT)背板的时间与成本优势，各大面板厂商逐渐开始大规模量产。然而相对于稳定成熟的五道光罩(5PEP)制程与四道光罩(4PEP)制程还存在一些待优化克服的问题。在四道光罩(4PEP)两次湿刻和两次干蚀刻中，由于非晶硅(a-Si:H)与源极层(M2)之间的线宽(CD Bias)差异(源极层线宽损耗较大，非晶硅线宽损耗较小)会引起非晶硅层在源极层下面有凸出来的尾端，这个尾端对薄膜晶体管(TFT)本身的漏电流影响较大，从而影响显示面板的质量。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于，提供一种阵列基板的制造方法，将可以减小由于源极层的湿蚀刻与非晶硅层干蚀刻的线宽差异所产生的非晶硅层尾端，能有效防止由于尾端引起的薄膜晶体管(TFT)光漏电流，保证面板显示质量。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种阵列基板的制造方法，包括：提供一第一基底；将一栅极层形成于所述第一基底上；将一栅极绝缘层形成于所述第一基底上，并覆盖所述栅极层；将一非晶硅层形成于所述栅极绝缘层上；将一金属层形成于所述非晶硅层上；将一感光性光阻层形成于所述金属层上；将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽；进而形成一源极层和一漏极层；剥离所述感光性光阻层；以及将一钝化层形成于所述源极层上；其中在所述感光性光阻层进行一烘烤制程，使感光性光阻层发生一定程度的流淌，产生一保护层，以便覆盖非主动开关沟道区域的金属层。

本发明的另一目的一种阵列基板的制造方法，包括：提供一第一基底；将一栅极层形成于所述第一基底上；将一栅极绝缘层形成于所述第一基底上，并覆盖所述栅极层；将一非晶硅层形成于所述栅极绝缘层上；将一金属层形成于所述非晶硅层上；将一感光性光阻层形成于所述金属层上；将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽，并形成源极层和漏极层；剥离所述感光性光阻层；以及将一钝化层形成于所述源极层上；其中所述将所述非晶硅层透过惰性气体或氮离子体进行蚀刻而形成一凹槽的步骤包括进行第一次湿蚀刻、第一次干蚀刻、第二次干蚀刻、第二次湿蚀刻及第三次干蚀刻；其中所述栅极绝缘层的材料为氮化硅，氧化硅，氮氧化硅，氧化铝，或氧化铪。

本发明解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。