[发明专利]半导体结构、半导体装置的制造方法以及设计布局的方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包含：

形成一第一接触衬垫及一第二接触衬垫在一第一钝化层上，其中该第一接触衬垫是在一电路区域内，且该第二接触衬垫是在一非电路区域内；

沉积一第一缓冲层在该第一接触衬垫及该第二接触衬垫上，其中该第二接触衬垫的一第一边缘是被暴露，且该第一接触衬垫的一周围及该第二接触衬垫的一第二边缘是被该第一缓冲层覆盖；以及

沉积一第二缓冲层在该第一缓冲层及该第二接触衬垫上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成该第一接触衬垫及该第二接触衬垫的操作包含：

形成该第二接触衬垫在一密封环区域内。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成该第一接触衬垫及该第二接触衬垫的操作包含：

形成该第二接触衬垫在一组装隔离区域内。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成该第一接触衬垫及该第二接触衬垫的操作包含：

形成该第二接触衬垫在一虚拟图案区域内。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该沉积该第一缓冲层的操作包含：

将该第一缓冲层的一边缘对准一介层窗插塞的一中间部分，其中该介层窗插塞是在该第二接触衬垫之下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法还包含：

形成一第三接触衬垫在该第一钝化层上，其中该第三接触衬垫是在该非电路区域内，并介于该第一接触衬垫及该第二接触衬垫之间；以及

沉积该第一缓冲层在该第三接触衬垫上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成该第三接触衬垫的操作包含：

形成该第三接触衬垫及该第二接触衬垫在一密封环区域内。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法还包含：

沉积一第二钝化层在该第一接触衬垫、该第二接触衬垫及该第一钝化层上。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该沉积该第一缓冲层的操作包含：

沉积该第一缓冲层，以使该第一缓冲层对该第二钝化层具有一抗拉应力或一抗压应力。

10.一种设计半导体装置的布局的方法，其特征在于，该方法包含：

决定一第一布局图案，其中该第一布局图案是对应至在一非电路区域内的多个接触衬垫；

利用一硬件处理电路产生一第二布局图案，其中该第二布局图案是对应至一缓冲层，该缓冲层自一电路区域延伸至该非电路区域；

检查该第二布局图案的多个边缘的每一者是否与该第一布局图案重叠；

调整该第二布局图案或该第一布局图案的至少一者，使该第二布局图案的该多个边缘与该第一布局图案重叠，以回应该第二布局图案的至少一边缘与该第一布局图案分离的测定；以及

输出该第一布局图案及该第二布局图案。

11.根据权利要求10所述的设计半导体装置的布局的方法，其特征在于，该调整该第二布局图案或该第一布局图案的至少一者的操作包含：

延伸该第二布局图案的至少一边缘，以与该第一布局图案重叠。

12.根据权利要求11所述的设计半导体装置的布局的方法，其特征在于，该延伸该第二布局图案的该至少一边缘的操作包含：

延伸该第二布局图案的该至少一边缘，以使该第二布局图案的该至少一边缘是自一电路区域朝向一非电路区域实质1微米至实质25微米的一长度。