[发明专利]用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM有效
| 申请号： | 201710839316.3 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN109509494B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 于跃 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 唤醒 sram 存储 阵列 电路 | ||
1.一种用于唤醒SRAM存储阵列的电路，其特征在于，所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极全部接于一点，作为第一节点，所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第二上拉晶体管的源极全部接于一点，作为第二节点，所述用于唤醒SRAM存储阵列的电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管、第三P型场效应管、第四P型场效应管及延时电路，所述第三P型场效应管的驱动能力小于所述第二P型场效应管的驱动能力，所述第四P型场效应管的驱动能力小于所述第一P型场效应管的驱动能力，其中，
所述第一P型场效应管的源极、所述第二P型场效应管的源极、所述第三P型场效应管的源极以及所述第四P型场效应管的源极共同连接至正供电电压；
所述第一P型场效应管的漏极及所述第三P型场效应管的漏极共同与所述第一节点连接，所述第一P型场效应管的栅极及所述第四P型场效应管的栅极共同连接至控制信号；
所述第二P型场效应管的漏极及所述第四P型场效应管的漏极共同与所述第二节点连接，所述第二P型场效应管的栅极及所述第三P型场效应管的栅极共同经所述延时电路连接至所述控制信号。
2.根据权利要求1所述的用于唤醒SRAM存储阵列的电路，其特征在于，所述第一P型场效应管、所述第二P型场效应管、所述第三P型场效应管以及所述第四P型场效应管采用P型MOS管。
3.根据权利要求1所述的用于唤醒SRAM存储阵列的电路，其特征在于，所述延时电路包括多个串联的反相器。
4.根据权利要求1所述的用于唤醒SRAM存储阵列的电路，其特征在于，所述控制信号为由高电平到低电平的阶跃信号。
5.一种SRAM，其特征在于，所述SRAM包括SRAM存储阵列和如权利要求1至4中任一项所述的用于唤醒SRAM存储阵列的电路，所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极与第二上拉晶体管的源极作为两个节点。
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