[发明专利]用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM

说明书

本发明提供一种用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM。所述电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管及延时电路，其中，所述第一P型场效应管的源极与所述第二P型场效应管的源极共同连接至正供电电压；所述第一P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极连接，所述第一P型场效应管的栅极连接至控制信号；所述第二P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第二上拉晶体管的源极连接，所述第二P型场效应管的栅极经所述延时电路连接至所述控制信号。本发明能够减少唤醒SRAM存储阵列时所需的充电电流，降低功耗。

技术领域

本发明涉及静态随机存取存储器(SRAM)技术领域，尤其涉及一种用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM。

背景技术

SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)通常用于速度和低功率为考虑因素的应用中。SRAM包括存储单元阵列及行和列电路，其中存储单元阵列中的每个SRAM单元的常规结构如图1所示，SRAM单元包括四个互补金属氧化物半导体场效应晶体管M1～M4，这四个晶体管形成两个交叉耦合的反相器，存储节点Q和QB保持互补的二进制值，节点VCC与正供电电压连接，节点VSS与负供电电压连接(通常接地)。另外两个晶体管M5和M6称为存取晶体管，用于在读取和写入操作期间控制对存储单元的存取。

我们都知道，SRAM并不是时刻工作的，当不需要SRAM工作及保持信息时，为了减少SRAM的泄露电流从而降低功耗，会切断存储阵列的供电电源，使SRAM各存储节点进入无源状态，几乎为接地电压。当需要SRAM工作时，对存储阵列重新供电，使SRAM恢复初始状态，这个过程可以称为“唤醒”，对应的电路称为唤醒电路。

现阶段的唤醒电路可以用图2来表示，唤醒电路包括一个PMOS管PM1，图2中每一个小方块表示一个SRAM单元，将存储阵列中所有SRAM单元的VCC节点通过PM1与正供电电压VDD连接，当不需要SRAM工作时，PM1关断，切断存储阵列的供电，当需要SRAM工作时，PM1导通，恢复存储阵列的供电。为清楚起见，以现有唤醒电路与存储阵列中一个SRAM单元连接为例，如图3所示，PM1的源极与正供电电压VDD连接，漏极与节点VCC连接，栅极连接至控制信号。唤醒过程中，对VCC节点进行充电，当VCC被充电至VDD电平时，唤醒过程结束，SRAM阵列可以进入正常工作模式。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：唤醒过程中，SRAM存储阵列需要的充电电流较大，会产生较大的功耗。

发明内容

本发明提供的用于唤醒SRAM存储阵列的电路及SRAM，能够减少唤醒SRAM存储阵列时所需的充电电流，降低功耗。

第一方面，本发明提供一种用于唤醒SRAM存储阵列的电路，所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极与第二上拉晶体管的源极作为两个节点，所述用于唤醒SRAM存储阵列的电路包括：第一P型场效应管、第二P型场效应管及延时电路，其中，

所述第一P型场效应管的源极与所述第二P型场效应管的源极共同连接至正供电电压；

所述第一P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第一上拉晶体管的源极连接，所述第一P型场效应管的栅极连接至控制信号；

所述第二P型场效应管的漏极与所述SRAM存储阵列中的各SRAM单元的第二上拉晶体管的源极连接，所述第二P型场效应管的栅极经所述延时电路连接至所述控制信号。

可选地，所述第一P型场效应管和所述第二P型场效应管采用P型MOS管。

可选地，所述电路还包括：

第三P型场效应管及第四P型场效应管，其中，

所述第三P型场效应管的源极与所述第四P型场效应管的源极共同连接至所述正供电电压；