[发明专利]一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法

说明书

本发明提供一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法，该水道装置包括：水槽以及设置在水槽侧壁上的进水口和出水口，并且所述进水口和出水口设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向平行的侧壁上或者设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向垂直的侧壁上。该用于预清洗机的水道装置可以降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。该预清洗机及预清洗方法具有类似的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种水道装置、预清洗机以及预清洗方法。

背景技术

12寸硅片对颗粒的要求已经达到了极致的地步。硅片的颗粒性能(particleperformance)分为LPD(light point defect)和LPDN(light point defect-nonremovable)两种。LPD一般指凸起的可以被清洗去除的颗粒，而LPDN指凹的，不可以被移除的缺陷。随着IC(集成电路)技术节点已接近10nm以下，即使是1颗20nm左右的颗粒，不论是LPD或者LPDN，都将会是器件杀手，对后道IC制程造成良率损失。因此，毛晶圆(barewafer)本身的颗粒性能就变得尤为重要。

对颗粒造成最重要影响的是最终抛光(final polish，FP)和抛光后的预清洗(preclean)两道工艺，最终抛光通过对晶圆(即硅片)正面进行抛光能有效去除颗粒。而抛光中引入的颗粒，如抛光液(slurry)残留，硅碎屑等则能够通过预清洗有效去除。然而在实际中，存在一个最终抛光与预清洗之间的等待时间(Q-time)的问题。由于最终抛光使用的抛光液呈碱性，当抛光液残留在晶圆上时，如果在一定时间内没有及时去除，抛光液会腐蚀晶圆表面，造成LPDN增多。目前的清洗机为增加产量(throughtput)，往往设计有水道(waterchannel)。水道置于清洗机中清洗药液槽(wet batch)之前，用于盛放暂时未能投入清洗药液槽的一盒晶圆(lot，25片晶圆)。由于清洗槽清洗时间的限制，一般每15分钟才允许投入一组晶圆(即一个batch，50片晶圆，两个lot)，而一般水道中可盛放10盒晶圆(10lot)，这就意味着最后一组晶圆(即最后一个batch)需要经过至少4x15＝60min的等待时间，才能开始清洗，这样就增加了等待时间，造成潜在的抛光液对晶圆的腐蚀。

因此有必要提出一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法，以至少部分解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法，可以降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。

为了克服目前存在的问题，本发明的一方面提供一种用于预清洗机的水道装置，包括：水槽以及设置在水槽侧壁上的进水口和出水口，并且所述进水口和出水口设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向平行的侧壁上或者设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向垂直的侧壁上。

可选地，所述进水口和出水口分别设置在所述水槽相对的两个侧壁上。

可选地，所述进水口和出水口均匀设置在所述水槽的侧壁上。

本发明的另一方面提供一种用于预清洗机的水道装置，包括：

第一水道，所述第一水道包括第一水槽和设置在所述第一水槽中的侧壁上的第一进水口和第一出水口，并且所述第一进水口和第一出水口分别设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向平行的两个侧壁上；

第二水道，所述第二水道包括第二水槽和设置在所述第二水槽中的侧壁上的第二进水口和第二出水口，并且所述第二进水口和第二出水口分别设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向垂直的两个侧壁上。