[发明专利]一种硅薄膜单面去除方法

权利要求书

1.一种硅薄膜单面去除方法，其特征在于，包括：

对硅片进行清洗和表面制绒；

以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；

在所述硅片的背面沉积保护层；

将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；

利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。

2.根据权利要求1所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面沉积保护层为在所述硅片的背面沉积氧化硅保护层或氮化硅保护层。

3.根据权利要求1所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，所述利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层为：

利用氢氟酸刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。

4.根据权利要求1所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围为80nm至120nm。

5.根据权利要求1所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，所述将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层为：

在850℃至900℃的温度下，利用湿氧氧化的方式，将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的硅薄膜单面去除方法，其特征在于，

所述薄膜的厚度范围为100nm至150nm。