[发明专利]一种硅薄膜单面去除方法

说明书

本申请公开了一种硅薄膜单面去除方法，包括：对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。上述硅薄膜单面去除方法，能够无损伤且零污染的单面去除硅薄膜。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种硅薄膜单面去除方法。

背景技术

自1954年美国贝尔实验室制备出世界上第一块转换效率为6％的单晶硅太阳电池以来，太阳能电池的发展可谓突飞猛进，晶硅太阳能电池的生产、使用已经遍布世界各地。在科研人员的不断努力探索下，晶硅电池的效率也在不断取得突破，最高转换效率已经达到了26.33％，非常接近理论极限值29％，电池效率提升的成本不断增高，发展新的硅薄膜技术电池势在必行，如非晶硅和多晶硅薄膜技术。

硅薄膜通常采用CVD(化学气相沉积)方法制备，但是由于CVD方法沉积薄膜时往往会绕镀到另一面，无法实现单面沉积。现有两种方法能够形成单面硅薄膜，包括掩膜保护单面刻蚀法和激光刻蚀方法，其中，掩膜保护方法是指硅薄膜沉积后在硅薄膜表面镀上一层抗碱腐蚀的保护层，接着用碱溶液去除掉另一面的硅薄膜，最后用腐蚀溶液去除掉表面的保护层，该方法对保护层的致密性要求非常高，否则碱溶液会从保护膜层中渗透到正面硅薄膜表面，对硅薄膜造成刻蚀损伤，另一方面渗透至保护膜层中的碱离子很难被清洗干净，会在后序工艺过程对电池造成污染，而激光刻蚀方法是指利用激光的能量去除另一面的硅薄膜，但是去除后硅片背面会被损伤，表面复合非常高，需要额外的去损伤工艺，去损伤过程可能也会对正面的硅薄膜造成损伤。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种硅薄膜单面去除方法，能够无损伤且零污染的单面去除硅薄膜。

本发明提供的一种硅薄膜单面去除方法，包括：

对硅片进行清洗和表面制绒；

以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；

在所述硅片的背面沉积保护层；

将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；

利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。

优选的，在上述硅薄膜单面去除方法中，所述在所述硅片的背面沉积保护层为在所述硅片的背面沉积氧化硅保护层或氮化硅保护层。

优选的，在上述硅薄膜单面去除方法中，所述利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层为：

利用氢氟酸刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层。

优选的，在上述硅薄膜单面去除方法中，所述保护层的厚度范围为80nm至120nm。

优选的，在上述硅薄膜单面去除方法中，所述将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层为：

在850℃至900℃的温度下，利用湿氧氧化的方式，将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层。

优选的，在上述硅薄膜单面去除方法中，所述薄膜的厚度范围为100nm至150nm。

通过上述描述可知，本发明提供的上述硅薄膜单面去除方法，由于包括对硅片进行清洗和表面制绒；以面靠面的方式在所述硅片的背面沉积薄膜；在所述硅片的背面沉积保护层；将所述硅片的正面和绕镀的薄膜氧化，形成氧化层；利用酸腐蚀液刻蚀，去除所述氧化层和所述保护层，因此能够无损伤且零污染的单面去除硅薄膜。

附图说明