[发明专利]结晶ITO薄膜的制备方法、On‑cell型触控面板的制备方法在审
| 申请号： | 201710842690.9 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107463031A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吕绍卿 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 ito 薄膜 制备 方法 on cell 型触控 面板 | ||
1.一种结晶ITO薄膜的制备方法，用于在液晶面板上制备形成结晶ITO薄膜，所述液晶面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层，其特征在于，所述制备方法包括：
应用沉积工艺，在所述彩膜基板的背离所述液晶层一侧的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；
在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使所述非结晶ITO薄膜晶化，获得结晶ITO薄膜。
2.根据权利要求1所述的结晶ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积工艺为低温磁控溅射工艺。
3.根据权利要求1所述的结晶ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述结晶ITO薄膜的厚度为50～80nm。
4.根据权利要求1所述的结晶ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述预设温度不超过100℃。
5.根据权利要求4所述的结晶ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述预设温度不超过60℃。
6.一种On-cell型触控面板的制备方法，包括在液晶面板上制备形成触控感应电极层的步骤，所述液晶面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层，其特征在于，在液晶面板上制备形成触控感应电极层的步骤包括：
应用沉积工艺，在所述彩膜基板的背离所述液晶层一侧的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；
应用光刻工艺，将所述非结晶ITO薄膜刻蚀形成图案化的触控感应电极；
在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使图案化的触控感应电极对应的非结晶ITO薄膜晶化形成结晶ITO薄膜。
7.根据权利要求6所述的On-cell型触控面板的制备方法，其特征在于，所述沉积工艺为低温磁控溅射工艺。
8.根据权利要求6所述的On-cell型触控面板的制备方法，其特征在于，所述结晶ITO薄膜的厚度为50～80nm。
9.根据权利要求6所述的On-cell型触控面板的制备方法，其特征在于，所述预设温度不超过100℃。
10.根据权利要求9所述的On-cell型触控面板的制备方法，其特征在于，所述预设温度不超过60℃。
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