[发明专利]结晶ITO薄膜的制备方法、On‑cell型触控面板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及触控式显示装置的制造工艺,尤其涉及一种结晶ITO薄膜的制备方法，还涉及一种On-cell型触控面板的制备方法。

背景技术

随着信息时代的发展及生活节奏的加快，触控技术由于其人性化设计及简单快捷的输入等特点，已经逐渐取代传统的鼠标和键盘，广泛的应用到各式各样的电子产品中，其中，电容式触摸屏由于其具有反应速度快，灵敏度高，可靠度佳以及耐用度高等优点而被广为使用。

根据触控感测层在显示面板中的设置方式不同，触控显示面板分为外挂式(Add on Mode)、内嵌式(In-cell)和外嵌式(On-cell)等结构。外挂式触控显示面板由于触摸屏与显示面板是相互独立设置，产品厚度较大，不能满足一些掌上设备和便携式设备的超薄要求。In-cell触控显示面板是将触控感测层集成到显示面板的彩色滤光片基板内侧，但In-cell触控显示面板因结构、制程均比较复杂而导致其生产良率较低。On-cell触控显示面板是将触控感应电极设置在显示面板的彩膜(Color Filter，CF)基板外侧，也是目前的主流触控结构之一，通常，On-cell的触控感应电极是嵌入设置在彩膜基板和上偏光片之间。

目前，On-cell触控显示面板的制备工艺中，通常是先制备形成液晶面板，所述液晶面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层；然后在液晶面板的彩膜基板上沉积一层ITO薄膜，再将ITO薄膜刻蚀形成图案化的触控感应电极。结晶的ITO薄膜相比于非结晶的ITO薄膜具有更低的阻抗和更高的穿透率的特性，因此，用于制备形成触控感应电极的ITO薄膜最好是结晶的ITO薄膜。

现有的制备结晶ITO薄膜的方法主要是高温退火晶化法：1、采用低温溅射工艺沉积形成非结晶的ITO薄膜；2、将非结晶的ITO薄膜放置于退火炉中进行高温退火晶化处理，获得结晶ITO薄膜。但是，在液晶面板上制备结晶ITO薄膜时，由于液晶面板中的液晶层可以承受的最高温度应当小于140℃，而非结晶的ITO薄膜的晶化温度一般要大于200℃，因此传统的采用高温退火晶化法无法应用于在液晶面板上制备结晶ITO薄膜。

因此，如何在液晶面板上制备获得结晶ITO薄膜是业内一直在探索解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种结晶ITO薄膜的制备方法，该方法可以在液晶面板上制备获得具有低阻抗和高穿透率的结晶ITO薄膜，又能有效地保护液晶面板中的液晶层不受高温破坏。

为了实现上述目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种结晶ITO薄膜的制备方法，用于在液晶面板上制备形成结晶ITO薄膜，所述液晶面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有液晶层，其中，所述制备方法包括：应用沉积工艺，在所述彩膜基板的背离所述液晶层一侧的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使所述非结晶ITO薄膜晶化，获得结晶ITO薄膜。

其中，所述沉积工艺为低温磁控溅射工艺。

其中，所述结晶ITO薄膜的厚度为50～80nm。

其中，所述预设温度不超过100℃。

其中，所述预设温度不超过60℃。

本发明还提供了一种On-cell型触控面板的制备方法，包括在液晶面板上制备形成触控感应电极层的步骤，采用了如上所述的结晶ITO薄膜的制备方法；具体地，在液晶面板上制备形成触控感应电极层的步骤包括：应用沉积工艺，在所述彩膜基板的背离所述液晶层一侧的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；应用光刻工艺，将所述非结晶ITO薄膜刻蚀形成图案化的触控感应电极；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使图案化的触控感应电极对应的非结晶ITO薄膜晶化形成结晶ITO薄膜。

本发明实施例中提供的结晶ITO薄膜的制备方法，在液晶面板上沉积形成非结晶ITO薄膜之后，采用准分子激光退火法(Excimer Laser Anneal，ELA)对非结晶的ITO薄膜进行晶化处理，获得结晶ITO薄膜。通过使用准分子激光退火工艺，可以使得位于彩膜基板上的区域具有较高的温度，满足ITO薄膜结晶的要求，制备获得具有低阻抗和高穿透率的结晶ITO薄膜；同时又可以将位于彩膜基板内侧的区域控制得较低，低于液晶层可以承受的最高温度，有效地保护液晶面板中的液晶层不受高温破坏。

附图说明

图1是本发明实施例1提供的结晶ITO薄膜的制备方法的示例性图示；