[发明专利]存储器电路、用于写入位单元的电路和方法有效
申请号: | 201710845641.0 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN107886984B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 潘卡伊·阿加沃尔;吴经纬;杰米恩·巴拉特库玛·阿塞姆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C7/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 电路 用于 写入 单元 方法 | ||
1.一种用于写入位单元的电路,包括:
第一位线;
电源节点,具有第一电源电压电平;
参考节点,具有参考电压电平;
传输门,连接在所述第一位线和所述电源节点之间;以及
驱动器,连接在所述第一位线和所述参考节点之间;
第一转换电路,配置为接收第一信号并且将所述第一信号转换为第二信号;
第二转换电路,配置为接收第三信号并且将所述第三信号转换为第四信号;
第一逻辑门,配置为接收所述第三信号,并且响应于控制信号和所述第三信号将所述第三信号转换为第五信号;
其中,
所述传输门配置为响应于所述第二信号并且独立于所述控制信号,将所述第一位线连接至所述电源节点,所述第二信号具有对应于所述第一电源电压电平的逻辑状态,以及
所述驱动器配置为响应于所述第五信号,将所述第一位线连接至所述参考节点,所述第五信号具有对应于所述参考电压电平和所述第一电源电压电平之间的第二电源电压电平的逻辑状态。
2.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路,还包括:
NAND门,配置为基于三个输入信号生成所述第一信号。
3.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路,其中,
所述第一电源电压电平是存储器电路的存储器域的电源电压电平。
4.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路,还包括:
第二位线;
第二传输门,连接在所述第二位线和所述电源节点之间;以及
第二驱动器,连接在所述第二位线和所述参考节点之间;
其中,
所述第二传输门配置为响应于所述第四信号将所述第二位线连接至所述电源节点,所述第四信号具有对应于所述第一电源电压电平的逻辑状态;以及
所述第二驱动器配置为响应于第六信号将所述第二位线连接至所述参考节点,所述第六信号具有对应于所述第二电源电压电平的逻辑状态。
5.根据权利要求4所述的用于写入位单元的电路,其中,所述第一信号和所述第三信号配置为在写入操作期间作为互补对。
6.根据权利要求5所述的用于写入位单元的电路,其中,
在所述写入操作之外,所述第一信号具有第一逻辑状态,所述第三信号具有所述第一逻辑状态;
所述传输门配置为基于具有所述第一逻辑状态的所述第一信号将所述第一位线与所述电源节点断开;
所述第二传输门配置为基于具有所述第一逻辑状态的所述第三信号将所述第二位线与所述电源节点断开。
7.根据权利要求4所述的用于写入位单元的电路,
其中,所述控制信号具有对应于中间电源电压水平的逻辑状态,所述中间电源电压水平表示所述第一信号、所述第三信号和所述第五信号中的最大值。
8.根据权利要求1所述的用于写入位单元的电路,其中:
所述第一电源电压电平比所述第二电源电压电平大至少350毫伏(mV)。
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