[发明专利]存储器电路、用于写入位单元的电路和方法

说明书

本发明提供了一种电路，该电路包括位线、具有第一电源电压电平的电源节点、具有参考电压电平的参考节点、连接在位线和电源节点之间的传输门以及连接在位线和参考节点之间的驱动器。传输门响应于第一信号将位线连接至电源节点，并且驱动器响应于第二信号将位线连接至参考节点。第一信号基于第一电源电压电平，并且第二信号基于参考电压电平和第一电源电压电平之间的第二电源电压电平。本发明还提供了存储器电路、用于写入位单元的电路和方法。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及存储器电路、用于写入位单元的电路和方法。

背景技术

在一些存储器电路中，存储器阵列工作的电源电压电平(voltage level，又称电压等级)高于其他电路工作的电源电压电平。存储器阵列的较高电压电平支持存储器单元的可靠功能，而其他电路的较低电压电平降低了电源需求。

通过分别实现电路性能特征，具有多个电源域的电路的总体电路性能能够超过具有单个电源域的电路的性能等级。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种用于写入位单元的电路，包括：第一位线；电源节点，具有第一电源电压电平；参考节点，具有参考电压电平；传输门，连接在所述第一位线和所述电源节点之间；以及驱动器，连接在所述第一位线和所述参考节点之间；其中，所述传输门配置为响应于第一信号，将所述第一位线连接至所述电源节点，所述第一信号基于所述第一电源电压电平，以及所述驱动器配置为响应于第二信号，将所述第一位线连接至所述参考节点，所述第二信号基于所述参考电压电平和所述第一电源电压电平之间的第二电源电压电平。

根据本发明的另一方面，提供了一种存储器电路，包括：参考节点，具有参考电压电平；存储器域电源节点，具有存储器域电源电压电平；第一位线；第二位线；位单元，包括：第一位单元传输门，配置为将所述位单元选择性地连接至所述第一位线；以及第二位单元传输门，配置为将所述位单元选择性地连接至所述第二位线；以及驱动器电路，包括第一位线传输门、第二位线传输门、第一驱动器和第二驱动器；其中，所述位单元配置为在所述存储器域电源电平下工作；所述第一位线传输门配置为将所述第一位线选择性地连接至所述存储器域电源节点；所述第二位线传输门配置为将所述第二位线选择性地连接至所述存储器域电源节点；所述第一驱动器配置为将所述第一位线选择性地连接至所述参考节点；以及所述第二驱动器配置为将所述第二位线选择性地连接至所述参考节点。

根据本发明的又一方面，提供了一种写入位单元的方法，所述方法包括：将所述位单元连接至第一位线和第二位线，所述第一位线和所述第二位线具有第一电压电平；将所述第一位线或所述第二位线中的第一条驱动至第二电压电平，所述第二电压电平高于所述第一电压电平，所述第二电压电平对应于所述位单元的工作电压；以及将所述第一位线或所述第二位线中的第二条驱动至参考电压电平，所述参考电压电平低于所述第一电压电平。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的存储器电路的示图。

图2是根据一些实施例的输入电路的示图。

图3是根据一些实施例的写入位单元的方法的流程图。

图4是根据一些实施例的生成WD信号的电路图。

具体实施方式