[发明专利]晶圆背面减薄工艺方法

权利要求书

1.一种晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于，包括步骤：

步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺；所述产品的正面工艺图形具有面内高度差异；

所述产品为IGBT器件产品；

IGBT器件包括有源区和终端区；所述有源区和所述终端区存在面内高度差异；

步骤二、在所述晶圆的产品的正面依次形成钝化层和聚酰亚胺；

步骤三、采用光刻工艺定义出所述聚酰亚胺的图形，之后进行所述钝化层的刻蚀将所述聚酰亚胺的覆盖区域外的所述钝化层去除形成所述钝化层和所述聚酰亚胺的叠加图形结构并由所述叠加图形结构组成所述晶圆的正面支撑结构；所述光刻工艺定义出所述正面支撑结构的图形结构和面积，且所述正面支撑结构的图形结构和面积根据所述正面工艺图形的面内高度差异选定且满足通过所述正面支撑结构的图形结构和面积的设置来减少所述产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的所述晶圆的厚度的影响，提高所述晶圆减薄后的厚度均匀性；

所述正面支撑结构的图形呈对称式分布；

步骤四、对所述晶圆背面进行减薄，减薄时，所述正面支撑结构直接和减薄机台接触并支撑所述晶圆。

2.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：所述正面支撑结构的图形由线条组成，各线条交叉排列形成方格结构。

3.如权利要求2所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：各所述方格结构的对角线也通过线条连接。

4.如权利要求2所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：在各所述方格结构内设置有圆形或椭圆形块。

5.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：所述正面支撑结构的图形由环形的块状结构组成。

6.如权利要求5所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：所述环形的块状结构的内外侧边为矩形。

7.如权利要求6所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：在所述环形的块状结构的四个块状边上设置有未覆盖所述钝化层和所述聚酰亚胺的条状块结构。

8.如权利要求6所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：在所述环形的块状结构上设置有未覆盖所述钝化层和所述聚酰亚胺的多根线条。

9.如权利要求1所述的晶圆背面减薄工艺方法，其特征在于：所述正面支撑结构的图形由多个圆形或椭圆形块对称式分布形成。