[发明专利]晶圆背面减薄工艺方法

说明书

本发明公开了一种晶圆背面减薄工艺方法，包括步骤：步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺；步骤二、在晶圆正面依次形成钝化层和聚酰亚胺；步骤三、进行光刻刻蚀形成钝化层和聚酰亚胺的叠加图形结构并由叠加图形结构组成晶圆的正面支撑结构；步骤四、对晶圆背面进行减薄，通过增加所述面支撑结构的面积减少产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的晶圆的厚度的影响。本发明能减少正面图形的落差对减薄后的厚度的影响，从而能提高减薄后的晶圆厚度的均匀性，能防止碎片发生。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种晶圆背面减薄工艺方法。

背景技术

IGBT作为高压大功率半导体器件的发展趋势，在未来的几年将保持高速的增长趋势。

其中，发展最快的应用将是新能源汽车和工业类马达驱动。电动车是IGBT应用中发展最快的市场之一。

背面工艺是IGBT最关键最核心的部分，它的工艺能力不但直接影响到IGBT器件的性能，对器件性能的均一性也产生很大影响，车载IGBT对器件的均一性有着更高的要求，需要不断改善。

工艺控制方面，背面减薄工艺是最为重要的，为了实现更好的IGBT性能，对IGBT厚度的要求是越薄越好，然而，这对减薄的要求却是越来越高。

实际研发中发现，背面减薄工艺受正面图形的影响非常显著，当正面图形有较大落差且分布不恰当时，容易产生较大的面内厚度差异，严重的还会导致碎片。如图1所示，是现有晶圆背面减薄工艺方法减薄后有源区的剖面照片；可以看出，器件的顶部表面和减薄后的背面之间的厚度为85.7μm；图2是现有晶圆背面减薄工艺方法减薄后终端区的剖面照片；可以看出，器件的顶部表面和减薄后的背面之间的厚度为80.0μm。也即在有源区和终端区的器件顶部表面和背面之间的厚度相差越6微米。图1中的79.2微米是未包括层间膜时晶圆正面和背面的厚度；图2中的90.3微米是终端区的器件顶部的场氧和晶圆背面之间的厚度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种晶圆背面减薄工艺方法，能减少正面图形的落差对减薄后的厚度的影响，从而能提高减薄后的晶圆厚度的均匀性，能防止碎片发生。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆背面减薄工艺方法包括步骤：

步骤一、在晶圆上完成产品的正面工艺；所述产品的正面工艺图形具有面内高度差异。

步骤二、在所述晶圆的产品的正面依次形成钝化层和聚酰亚胺。

步骤三、采用光刻工艺定义出所述聚酰亚胺的图形，之后进行所述钝化层的刻蚀将所述聚酰亚胺的覆盖区域外的所述钝化层去除形成所述钝化层和所述聚酰亚胺的叠加图形结构并由所述叠加图形结构组成所述晶圆的正面支撑结构。

步骤四、对所述晶圆背面进行减薄，通过增加所述正面支撑结构的面积减少所述产品的正面工艺图形的面内高度差异对减薄后的所述晶圆的厚度的影响，提高所述晶圆减薄后的厚度均匀性。

进一步的改进是，所述产品为IGBT器件产品。

进一步的改进是，IGBT器件包括有源区和终端区。

进一步的改进是，步骤三中所述正面支撑结构的图形呈对称式分布。

进一步的改进是，所述正面支撑结构的图形由线条组成，各线条交叉排列形成方格结构。

进一步的改进是，各所述方格结构的对角线也通过线条连接。

进一步的改进是，在各所述方格结构内设置有圆形或椭圆形块。

进一步的改进是，所述正面支撑结构的图形由环形的块状结构组成。

进一步的改进是，所述环形的块状结构的内外侧边为矩形。