[发明专利]一种光电转换复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201710848812.5 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107507888B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 原晋波 | 申请(专利权)人: | 孙美玲 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 台州蓝天知识产权代理有限公司 33229 | 代理人: | 周绪洞 |
地址: | 317700 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 转换 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种光电转换复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1) 将2-5g聚乙烯吡咯烷酮、1-3g苯三羧酸三乙酯、1-3g硬脂酰乳酸钠和25-50ml去离子水混合,在转速300-400r/min下搅拌5-10分钟;
(2) 加入0.5-1g氯铂酸、1-3g氧化钨、1-3ml钛酸异丙酯、0.5-1g纳米氧化锌和1-3ml异丙醇钛,继续搅拌10-15分钟;
(3) 加入10-12ml氧化石墨烯和1-2g甲基丙烯酸异辛酯,超声30-40分钟,在转速200-300r/min下搅拌3-4小时;
(4) 加入1-3g聚乙二醇,室温下搅拌2-2.5小时;
(5) 将导电玻璃垂直浸渍其中3-4分钟,以40-44mm/min的速度提拉出;
(6) 将提拉的样品以2℃/min升温,在420-450℃下热处理2-2.5小时,自然冷却即得。
2.根据权利要求1所述的一种光电转换复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中转速为350r/min,搅拌时间为8分钟。
3.根据权利要求1所述的一种光电转换复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中超声时间为35分钟,转速为250r/min,搅拌时间为3.5小时。
4.根据权利要求1所述的一种光电转换复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中浸渍时间为3.5分钟,提拉速度为42mm/min。
5.根据权利要求1所述的一种光电转换复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)中热处理温度为430-440℃,热处理时间为2.25小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的