[发明专利]一种光电转换复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201710848812.5 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN107507888B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 原晋波 | 申请(专利权)人: | 孙美玲 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 台州蓝天知识产权代理有限公司 33229 | 代理人: | 周绪洞 |
地址: | 317700 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 转换 复合 薄膜 制备 方法 | ||
本发明提供了一种光电转换复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将聚乙烯吡咯烷酮、苯三羧酸三乙酯、硬脂酰乳酸钠和去离子水混合搅拌;(2)加入氯铂酸、氧化钨、钛酸异丙酯、纳米氧化锌和异丙醇钛继续搅拌;(3)加入氧化石墨烯和甲基丙烯酸异辛酯,超声,搅拌;(4)加入聚乙二醇,室温下搅拌;(5)将导电玻璃垂直浸渍其中3‑4分钟,以40‑44mm/min的速度提拉出;(6)将提拉的样品热处理,自然冷却即得。本发明方法制备的光电转换复合薄膜光电转换能力强,光电转换效果好,电子传输速度快,使用寿命长,能够有效的解决能源问题,提高对太阳能的利用率,对于资源的节约和环境的保护都具有重要的意义。
技术领域
本发明涉及一种光电转换复合薄膜的制备方法。
背景技术
近二十年来,随着石油、煤炭等资源的不断消耗,全世界各地都出现了一定程度的能源危机。这些矿石燃料在为人们提供动力、能量的同时也引发了环境污染和温室效应等一系列问题。尤其是近期北京等地频繁出现非常严重的雾霾现象,使得人们对于风电、核电、光伏发电等一系列清洁能源变得更加关注,政府和企业也陆续对该领域的相关产业加大了扶持力度。太阳能作为一种可再生能源,具有资源丰富、清洁安全等优点。在过去的十几年里,人们一直在寻求对太阳能的有效利用,各国都陆续开发出各种对太阳能的捕获、转换和存储技术。当前对太阳能的研究主要有以下四个方面:太阳能光催化降解有机污染物、太阳能光解水制氢、太阳能电池以及光热一热电转换等。总的来说,这三者的研究关键都是寻求性能优良的光电转换材料,对于资源的节约和环境的保护都具有重要的意义。
发明内容
要解决的技术问题:本发明的目的是提供一种光电转换复合薄膜的制备方法,所制备的薄膜光电转换能力强,光电转换效果好,电子传输速度快,使用寿命长。
技术方案:一种光电转换复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1) 将2-5g聚乙烯吡咯烷酮、1-3g苯三羧酸三乙酯、1-3g硬脂酰乳酸钠和25-50ml去离子水混合,在转速300-400r/min下搅拌5-10分钟;
(2) 加入0.5-1g氯铂酸、1-3g氧化钨、1-3ml钛酸异丙酯、0.5-1g纳米氧化锌和1-3ml异丙醇钛,继续搅拌10-15分钟;
(3) 加入10-12ml氧化石墨烯和1-2g甲基丙烯酸异辛酯,超声30-40分钟,在转速200-300r/min下搅拌3-4小时;
(4) 加入1-3g聚乙二醇,室温下搅拌2-2.5小时;
(5) 将导电玻璃垂直浸渍其中3-4分钟,以40-44mm/min的速度提拉出;
(6) 将提拉的样品以2℃/min升温,在420-450℃下热处理2-2.5小时,自然冷却即得。
进一步优选的,步骤(1)中转速为350r/min,搅拌时间为8分钟。
进一步优选的,步骤(3)中超声时间为35分钟,转速为250r/min,搅拌时间为3.5小时。
进一步优选的,步骤(5)中浸渍时间为3.5分钟,提拉速度为42mm/min。
进一步优选的,步骤(6)中热处理温度为430-440℃,热处理时间为2.25小时。
有益效果:本发明的一种光电转换复合薄膜的制备方法,所制备的薄膜在外加1V电压下进行光电流测试,光电流最高可达0.38mA/cm2,光电转换能力强,光电转换效果好,薄膜中电子的传递时间最低仅为20.7ms,电子传输速度快,使用寿命长。
具体实施方式
实施例1
一种光电转换复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的