[发明专利]一种OLED显示面板及其制作方法

说明书

本发明提出了一种OLED显示面板及其制作方法，所述OLED显示面板包括薄膜晶体管层、阳极层、阳极修饰层、第一公共层、发光层、第二公共层以及阴极层；其中，所述阳极修饰层的材料为偶氮苯类化合物，所述偶氮苯类化合物包含有用于传输空穴的功能基团和用于增强其在常见有机溶剂中溶解性的功能基团；另外，所述阳极修饰层为三维浮雕光栅结构。有益效果：通过对所述阳极修饰层的三维光栅结构的精细调控，可以实现顶发射OLED器件微腔效应的调节，达到改善OLED器件发光的光色，同时，也增强了器件的出光耦合效率的效果。

技术领域

本发明涉及平板显示器制造技术领域，特别涉及一种OLED 显示面板及其制造方法。

背景技术

在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)，OLED具有更省电，更薄，且视角宽的优势，这是 LCD无法比拟的。目前，人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高，但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。

OLED显示装置的核心部件是OLED显示面板，传统的OLED 显示面板包括：薄膜晶体管层以及制作于TFT基板上的阳极层、像素定义层、第一公共层、发光层、第二公共层、阴极层；而OLED 显示面板的工作原理是在阳极和阴极之间电场的作用下，空穴通过第一公共层传输到发光层，电子通过第二公共层传输到发光层，空穴和电子在发光层之内复合进而发光。

随着小面积、无源驱动技术的日趋成熟，大面积、有源驱动技术已成为目前有机发光研究的主流。实现大尺寸显示需要采用 TFT驱动技术，而传统的底发射器件(Bottom-emitting OLEDs，BOLEDs)是以透明衬底上的氧化铟锡(ITO)阳极作为出光面的，当使用非透明的硅衬底或迁移率小的非晶硅、有机TFT为衬底时，容易造成开口率低的问题。因此，要实现有源驱动的大面积、高亮度有机发光显示屏，必须研制顶发射结构的有机发光器件(Top-emitting OLEDs，TOLEDs)，通过将出光面与衬底(TFT) 分开，从而使开口率的问题得到根本解决。

在现有的顶发射OLED制备过程中，一般制备全反射阳极和半透明阴极的结构实现OLED器件的顶发射，通过结构的优化有效地调节TOLED的微腔效应，改善OLED器件发光的光色，同时增强器件的出光耦合效率。

发明内容

本发明提供了一种OLED显示面板及其制作方法，以改善现有OLED器件发光的光色。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED显示面板的制作方法，所述方法包括：

步骤S30、在阳极上制备阳极修饰层，其中，所述阳极修饰 层为三维浮雕光栅结构；

步骤S40、在所述阳极修饰层上依次沉积第一公共层、发光层以及第二公共层；

步骤S50、在所述第二公共层上沉积阴极层。

根据本发明一优选实施例，在所述步骤S30之前还包括：

步骤S10、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层；

步骤S20、在所述薄膜晶体管层上形成阳极层，使用第一光罩，对所述阳极层实施第一光罩制程，以使所述阳极层形成至少两个所述阳极。

根据本发明一优选实施例，所述步骤S30包括：

S31、在所述阳极层上涂布偶氮苯类化合物溶液，以形成偶氮苯类化合物薄膜；

S32、利用激光照射所述偶氮苯类化合物薄膜，以形成具有所述三维浮雕光栅结构的所述阳极修饰层。