[发明专利]器件制造方法以及薄膜微器件制造方法

权利要求书

1.一种器件制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板包含一加工面，所述加工面上形成有第一静电吸附电极；

提供一掩膜板，所述掩膜板包含相对布置的掩膜顶面和掩膜底面，所述掩膜板形成有至少一个穿孔，且所述掩膜底面上形成有第二静电吸附电极；

将所述掩膜板置于所述基板上，使得所述掩膜底面面对所述加工面，且所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极对位，所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极之间保持间距以避免短路；

分别对所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极施加极化电压，以使得所述掩膜板静电吸附固定于所述加工面上；以及

以所述掩膜板为掩膜，在所述加工面上形成微结构。

2.如权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于，所述加工面上形成有第一光学对位标记，所述掩膜顶面或掩膜底面上形成有第二光学对位标记，所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极通过所述第一光学对位标记和所述第二光学对位标记进行对位。

3.根据权利要求2所述的器件制造方法，其特征在于，所述第一光学对位标记设置于所述第一静电吸附电极上，所述第二光学对位标记设置于所述第二静电吸附电极上。

4.如权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于，以所述掩膜板为掩膜，通过气相作用在所述加工面上形成所述微结构；所述气相作用包括物理气相沉积、化学气相沉积和真空离子刻蚀中的至少一种。

5.如权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于，在所述加工面上形成微结构之后，所述器件制造方法还包括：

停止对所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极施加极化电压；以及

将所述掩膜板移开所述基板。

6.如权利要求5所述的器件制造方法，其特征在于，所述加工面上形成有第一垫片，所述第一垫片使得所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极间保持第一间距。

7.根据权利要求6所述的器件制造方法，其特征在于，所述第一垫片由介电材料制成，并置于第一静电吸附电极表面。

8.根据权利要求1或6所述的器件制造方法，其特征在于，所述掩膜底面上形成有第二垫片，所述第二垫片使得所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极间保持第二间距。

9.根据权利要求8所述的器件制造方法，其特征在于，所述第二垫片由介电材料制成，并置于第二静电吸附电极表面。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的器件制造方法，其特征在于，所述第一静电吸附电极和所述第二静电吸附电极均包括多个封闭环，所述穿孔置于所述第二静电吸附电极的所述封闭环内。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的器件制造方法，其特征在于，所述第一静电吸附电极包括多个相互分割的第一空框，所述第二静电吸附电极包括多个相互分割的第二空框，所述第一空框与所述第二空框的大小和比例一致。

12.根据权利要求1至7中任一项所述的器件制造方法，其特征在于，所述第一静电吸附电极凸出所述加工面，所述第二静电吸附电极凸出所述掩膜底面。

13.根据权利要求1至7中任一项所述的器件制造方法，其特征在于，所述基板为半导体晶圆基板或玻璃显示器基板。

14.根据权利要求1至7中任一项所述的器件制造方法，其特征在于，在0到450摄氏度区间内，所述掩膜板与基板的热膨胀系数之差小于1.0×10^-5/摄氏度。

15.一种薄膜微器件制造方法，其特征在于，采用如权利要求1至14中任一项所述的器件制造方法。