[发明专利]器件制造方法以及薄膜微器件制造方法

说明书

本发明揭示了一种器件制造方法以及薄膜微器件制造方法。所述器件制造方法包括：提供一基板，基板上形成有第一静电吸附电极，提供一掩膜板，掩膜板上形成有第二静电吸附电极，将所述掩膜板置于所述基板上，分别对所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极施加极化电压，以使得所述掩膜板静电吸附固定于所述加工面上。由此，避免了基板和掩膜之间产生相对移动，导致相对位置不稳定的问题，使得所需器件能够精确的获得，最终提高了器件的质量。

技术领域

本发明涉及微器件技术领域，特别涉及一种器件制造方法以及薄膜微器件制造方法。

背景技术

传统薄膜微器件加工方法，通常离不开光刻技术。基于光刻技术的薄膜微器件加工方法，其核心的工艺步骤包括：先在一个固态基板上形成一层或多层固态薄膜，然后在固态薄膜上形成一层或多层光刻胶，接着利用光化学反应原理，将所要加工的微器件图形传递到光刻胶上，以形成有效的图形窗口或功能图形，然后以剩余的光刻胶作为阻挡图形，再利用化学或物理刻蚀方法刻蚀掉部分固态薄膜而形成所需的薄膜微器件结构，最后再通过物理或化学方式去除剩余的光刻胶，并通过液体或气体清洗去除包括光刻胶在内的表面残余物。

然而，很多薄膜微器件及其组分材料出于各种原因不能采用光刻技术来加工，而必须采用其他非光刻的薄膜加工方法来制造。其原因包括但不限于：薄膜微器件的组分材料与光刻胶的化学非兼容性、化学或物理刻蚀过程及材料对组分材料有损坏作用、刻蚀后光刻胶无法去除、刻蚀后清洗对组分材料有破坏性等等。其中，有机薄膜材料构成的微器件是一个最为典型的例子，尤其是OLED阵列显示器：正是由于OLED多层薄膜材料对上述问题的敏感性，因而不能采用传统光刻方法来完成，必须采用其他非光刻的薄膜微器件加工方法来加工。

透过硬掩膜薄膜沉积形成薄膜的微器件加工方法，就是一种常用的非光刻薄膜微器件加工方法，其基本过程为：采用具有固定图案通孔的硬掩膜与基板近距离光学对位，再通过这些固定图案通孔就可以在基板上形成所需微器件。

例如凭借金属丝网作为硬掩膜并通过物理或化学薄膜蒸镀技术的方法，已经被用来在玻璃基板上制造基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)主动矩阵有机发光二极体(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)面板的制造。

然而，本申请的发明人发现，传统的金属丝网硬掩膜与薄膜蒸镀相结合的微器件加工方法，首先必须完成金属丝网硬掩膜与基板近距离高精度拟合，而在随后的薄膜蒸镀过程中，仍然需要始终保持金属丝网硬掩膜及其通孔阵列与基板及其显示像素阵列的准确、精密光学对位，同时金属丝网硬掩膜相对基板及其显示像素不能产生任何移动和相对变形；而在完成薄膜蒸镀后将金属丝网硬掩膜移开时，同样不能对基板表面及其形成的OLED微器件产生任何扰动甚至损坏。这些都是非常困难、复杂的机械操作工艺，包括如此精密的金属丝网硬掩膜的加工和操作；而在OLED薄膜蒸镀这一高温过程中，由于金属丝网硬掩膜与基板具有不同的热膨胀率，保持硬掩膜的通孔阵列与基的显示像素阵列高精度对位，尤其是当金属丝网硬掩膜通孔和OLED显示器像素缩小到微米尺度，技术上将越来越难以实现。

发明内容

本发明的目的在于提供一种器件制造方法以及薄膜微器件制造方法，改善掩膜板与基板相对位置不稳定的问题，提高器件的质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种器件制造方法，包括：

提供一基板，所述基板包含一加工面，所述加工面上形成有第一静电吸附电极；

提供一掩膜板，所述掩膜板包含相对布置的掩膜顶面和掩膜底面，所述掩膜板形成有至少一个穿孔，且所述掩膜底面上形成有第二静电吸附电极；

将所述掩膜板置于所述基板上，使得所述掩膜底面面对所述加工面，且所述第一静电吸附电极与所述第二静电吸附电极对位；