[发明专利]有机发光二极管基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710852353.8 申请日: 2017-09-20
公开(公告)号: CN107611280B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 吴海东;李彦松;杜小波 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 曲鹏;张京波
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供了一种有机发光二极管基板及其制造方法。有机发光二极管基板包括:设置在基底上像素定义层,以及设置在像素区域内的阳极、有机发光二极管OLED功能层和阴极,所述像素定义层包括依次叠设的第一像素定义层、辅助阴极和第二像素定义层,所述辅助阴极与所述阴极连接。本发明通过在两个像素定义层之间形成辅助阴极,在像素区域形成阴极,且阴极与辅助阴极连接,不仅有效改善了视角色偏问题,而且阴极电压分布均匀,具有较高的亮度均匀性,同时提高了OLED的透光性和导电性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种有机发光二极管基板及其制造方法。

背景技术

在显示技术领域,液晶(Liquid Crystal Display,LCD)显示装置和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置已经逐步取代CRT显示器。由于OLED显示装置具有亮度高、色彩饱和、轻薄、可弯曲和成本低等优点,有望成为继LCD显示技术之后的下一代平板显示技术,是平板显示技术中倍受关注的技术之一。有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示装置是OLED显示装置的一种,主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)和OLED构成。

按照出光方向,OLED基板可以分为三种:底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。具体的,底发射OLED中光从基板射出,顶发射OLED中光从顶部方向射出,双面发射OLED中光同时从基板和顶部射出。其中,与底发射OLED相比,顶发射OLED具有开口率高、色纯度高、容易实现高分辨率(Pixels per inch,PPI)等优点,因此成为目前主流的有机电致发光器件结构。

对于顶发射OLED,由于出光方向在阴极一侧,因此阴极的设计对显示性能有至关重要的影响。目前设计中,要求阴极具有较好的透光性和导电性,但同时满足透光性和导电性要求则存在较大的难度。例如,为了满足透光性要求,必然要求阴极的厚度较薄,但此时阴极的电阻较大,不仅会导致电压上升、功耗增大的问题,而且导致阴极上各处电压分布不均匀,出现亮度不均匀的问题。为了满足导电性要求,必然要求阴极的厚度较大,但此时阴极的透过率较低,会出现视角色偏问题。

因此,顶发射OLED结构设计中如何同时提高透光性和导电性,是本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种有机发光二极管基板及其制造方法,以同时提高透光性和导电性。

为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种有机发光二极管基板,包括:

设置在基底上像素定义层,以及设置在像素区域内的阳极、有机发光二极管OLED功能层和阴极,所述像素定义层包括依次叠设的第一像素定义层、辅助阴极和第二像素定义层,所述辅助阴极与所述阴极连接。

可选地,所述第一像素定义层的厚度为300~350nm,所述第一像素界定层边缘的坡度角和第二像素定义层边缘的坡度角为85°~90°。

可选地,所述阳极与所述辅助阴极同层设置且通过一次工艺形成。

可选地,所述阴极的厚度为6~10nm。

可选地,所述辅助阴极包括依次叠设的厚度为5~20nm的第一透明导电层、厚度为130~170nm的金属层和厚度为5~20nm的第二透明导电层。

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