[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710852897.4 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107644916B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张建业;李伟;顾鹏飞;李伟;张星;孙宏达 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括基板和设置在所述基板的第一面上的缓冲层，其特征在于，还包括抗紫外层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上；
所述抗紫外层为两层，且均为二氧化钛薄膜，并且两层所述抗紫外层分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
两层所述抗紫外层均设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者均设置在所述缓冲层之上；所述第二抗紫外层设置在所述第一抗紫外层上。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一抗紫外层和第二抗紫外层分别设置在所述基板与所述缓冲层之间，和所述缓冲层之上。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
两层所述抗紫外层均设置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外层设置在所述基板的第二面上，所述第一抗紫外层设置在所述第二抗紫外层上；或者，所述第一抗紫外层设置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二抗紫外层的粒径的取值范围在10nm～50nm；所述第一抗紫外层的粒径的取值范围在50nm～100nm。
6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成缓冲层和抗紫外层；
其中，所述缓冲层设置在所述基板上；所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上；
所述抗紫外层为两层，且两层所述抗紫外层的形成包括：
形成二氧化钛薄膜；
其中，两层所述抗紫外层分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用气相沉积方法沉积所述抗紫外层；
所述气相沉积方法是在高温条件下，通过氧气和四氯化钛发生反应生成所述二氧化钛薄膜；
通过控制所述氧气的温度来调节所述二氧化钛薄膜的粒径大小。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用蒸镀方法沉积所述抗紫外层；
所述蒸镀方法是利用保持预设压力的惰性气体对四氯化钛进行加热形成蒸汽，并对所述蒸汽进行冷凝形成所述二氧化钛薄膜；
通过控制所述预设压力和加热温度来调节所述二氧化钛薄膜的粒径大小。
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