[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括基板和设置在基板的第一面上的缓冲层，还包括抗紫外层，该抗紫外层设置在基板与缓冲层之间，和/或设置在缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法的技术方案中，可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题，从而可以改善薄膜晶体管的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵液晶显示屏(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示屏的像素驱动部件，在实现大尺寸、高清晰度、高帧频率的显示中起着重要作用。目前TFT的有源层材料主要有氢化非晶硅、低温多晶硅、有机半导体和氧化物半导体，其中，氧化物半导体具有较高的电子迁移率和好的均匀性，适用于驱动AMLCD和AMOLED。

有机电致发光器件根据光出射方向的不同，可以分为两种不同的类型，分别为底发射型器件(BEOLED)和顶发射型器件(OLED)。其中，顶发射型器件能够有效提高开口率，从而有利于获得显示亮度高、高分辨率的有机电致发光器件，同时也有利于器件与底部驱动电路的集成。

但是，在上述顶发射型器件的制作工艺中，薄膜晶体管(有源层的沟道处)会受到外界光的影响而产生不同程度的损伤，从而会出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题。并且，光的波长越小，影响越严重，尤其是460nm以下的紫外光波段对薄膜晶体管的影响最为严重。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制作方法，其可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题，从而可以改善薄膜晶体管的性能。

为实现本发明的目的而提供一种薄膜晶体管，包括基板和设置在所述基板的第一面上的缓冲层，还包括抗紫外层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。

优选的，所述抗紫外层为二氧化钛薄膜。

优选的，所述抗紫外层为单层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者设置在所述缓冲层之上；或者，

所述抗紫外层为两层，且均设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者均设置在所述缓冲层之上；两层所述抗紫外层分别为第一抗紫外层和设置在所述第一抗紫外层上的第二抗紫外层，并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。

优选的，所述抗紫外层为两层，分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，二者分别设置在所述基板与所述缓冲层之间，和所述缓冲层之上；

所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。

优选的，所述抗紫外层为单层，所述抗紫外层设置在所述基板的第二面之上；或者，

所述抗紫外层为两层，且均设置在所述基板的第二面之上；两层所述抗紫外层分别为设置在所述基板的第二面上的第二抗紫外层和设置在所述第二抗紫外层上的第一抗紫外层，并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径；或者，所述抗紫外层为两层，分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，其中，所述第一抗紫外层设置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间；并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。

优选的，所述第二抗紫外层的粒径的取值范围在10nm～50nm；所述第一抗紫外层的粒径的取值范围在50nm～100nm。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上形成缓冲层和抗紫外层；