[发明专利]一种单晶炉拉晶生产工艺及单晶炉极限真空值获得方法

说明书

本发明提供了一种单晶炉拉晶生产工艺，包括以下步骤：1)、测得单晶炉抽真空m分钟时极限真空值(m＜n，n为常规单晶炉拉晶生产抽真空时间)；2)、单晶炉装料合炉后，抽真空m分钟，检测炉内真空值，若该检测值≤极限真空值，则炉体密封合格，生产继续，若该检测值＞极限真空值，则炉体密封不合格，需要对炉体进行测漏检修，直至炉体密封合格后进行后续生产。本发明所述的一种单晶炉拉晶生产工艺，合炉后真空度值和极限真空值进行比较，由此判断炉体的密封性，便于操作，优化了工艺路线，节省了拉晶时间，提高生产效率，给生产这带来很大经济效益。

技术领域

本发明属于单晶炉拉晶生产领域，尤其是涉及一种单晶炉拉晶生产工艺及单晶炉极限真空值获得方法。

背景技术

如图3所示，单晶炉拉晶生产中，在使用直拉法制备单晶硅的过程中，判断单晶炉密封性是否满足拉晶需求，是拉晶工艺流程中必不可少的一步，单晶炉密封性不满足要求，易造成炉内氧化，影响单晶成晶。

常规判断密封性的工艺，是使用真空泵将单晶炉炉内压力抽至极限真空状态(极限真空值为0-20mtorr)，然后进行检漏，通过漏率值判断单晶炉密封性是否满足拉晶需求。漏率合格，可进行后续拉晶步骤，不合格则需流氩或开炉查找漏点，之后继续检漏，直到漏率合格。

目前使用抽空+检漏工艺，工艺设定时间为90min，实际平均时间为112.5min，高于工艺设定时间的炉台中，有80％炉台流氩(炉内冲入氩气后再次抽空的过程，用时30min)一次后漏率合格，说明炉台密封性满足要求，剩余20％炉台存在漏点。因此常规生产工艺中，压力化前的密封检测步骤耗时较长，效率低下，生产成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种单晶炉拉晶生产工艺及单晶炉极限真空值获得方法，以减小进入压力化步骤的平均用时。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种单晶炉拉晶生产工艺，包括以下步骤：

1)、测得单晶炉抽真空m分钟时极限真空值(m＜n，n为常规单晶炉拉晶生产抽真空时间)；

2)、单晶炉装料合炉后，抽真空m分钟，检测炉内真空值，若该检测值≤极限真空值，则炉体密封合格，生产继续，若该检测值＞极限真空值，则炉体密封不合格，需要对炉体进行测漏检修，直至炉体密封合格后进行后续生产。

相对于现有技术，本发明所述的一种单晶炉拉晶生产工艺具有以下优势：

本发明所述的一种单晶炉拉晶生产工艺，合炉后真空度值和极限真空值进行比较，由此判断炉体的密封性，便于操作，优化了工艺路线，节省了拉晶时间，提高生产效率，给生产这带来很大经济效益。

一种单晶炉极限真空值获得方法，包括以下步骤：

(21)、通过第一炉拉晶生产获得首次真空值，包括步骤：

a、将物料装入炉体内，合炉后将单晶炉抽真空m分钟，通过炉内的真空度检测仪检测并记录检测数值；

b、对该单晶炉充常压，再次对该炉抽真空n分钟，通过炉内的真空度检测仪测漏，若单晶炉漏率≤设计要求值，该单晶炉密封合格，继续拉晶后续生产，所记录检测数值即为首次真空值；若单晶炉漏率＞设计要求值,查找漏点检修，然后重复步骤a和步骤b直至获得炉体首次真空值；

(22)、通过第二炉生产校正首次真空值：

将物料放入炉体内，合炉后抽真空m分钟，通过炉内真空度检测仪检测此时炉内真空度，并进行记录，该值为校正值，若该校正值≤首次真空值，说明单晶炉密封合格，则将该校正值定为单晶炉极限真空值，继续拉晶后续生产；若校正值＞首次真空值，则需要以下操作校正：