[发明专利]一种硅片处理设备及其药液槽、药液槽的排放方法有效
申请号: | 201710858023.X | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107564842B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 左国军;成旭 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 尹彦;胡朝阳 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 处理 设备 及其 药液 排放 方法 | ||
1.一种用于硅片处理设备的药液槽,包括槽体,一端连通槽体侧壁上溢流口的溢流管道,分别连通所述溢流管道另一端以及设置在槽体底部的排液口的第一排液管道,设置在第一排液管道上的排液阀,其特征在于,在槽体内距离槽底第一高度的位置处设置至少一根第二排液管道,所述第二排液管道位于槽体外的部分通过控制阀连通至第一排液管道。
2.如权利要求1所述的用于硅片处理设备的药液槽,其特征在于,所述第一高度为当所述硅片处理设备正常工作时,药液槽内剩余液体的体积对应的高度。
3.如权利要求1所述的用于硅片处理设备的药液槽,其特征在于,所述第一高度满足条件为:第一高度减去设备正常工作时药液槽还剩液体的体积对应的高度小于溢流口的高度减去液槽初始配液时液体的体积对应的高度。
4.如权利要求1至3任意一项所述的用于硅片处理设备的药液槽,其特征在于,所述第二排液管道的入口连接在槽体侧壁上。
5.如权利要求1至3任意一项所述的用于硅片处理设备的药液槽,其特征在于,所述第二排液管道从槽体底部伸入直至所述第一高度。
6.如权利要求1至3任意一项所述的用于硅片处理设备的药液槽,其特征在于,所述第二排液管道从槽体顶部伸入至所述第一高度,并且所述排液管道连接一排液动力装置。
7.采用上述任意一项权利要求所述的药液槽的硅片处理设备。
8.如权利要求7所述的硅片处理设备,其特征在于,所述硅片处理设备为清洗设备或湿法处理设备。
9.维持如权利要求1至6任意一项所述的药液槽内的液体浓度、温度、体积的排放方法,当药液槽配液完毕开始处理硅片后开启所述控制阀,或者在开始处理硅片后,每间隔一段时间开启所述控制阀一段时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造