[发明专利]一种硅片处理设备及其药液槽、药液槽的排放方法有效
申请号: | 201710858023.X | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107564842B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 左国军;成旭 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 尹彦;胡朝阳 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 处理 设备 及其 药液 排放 方法 | ||
本发明公开了一种硅片处理设备及其药液槽、药液槽的排放方法,其中药液槽包括槽体,连通槽体侧壁上溢流口的溢流管道,连通设置在槽体底部的排液口的第一排液管道,设置在第一排液管道上的排液阀,在槽体内距离槽底第一高度的位置处设置第二排液管道,所述第二排液管道位于槽体外的部分通过控制阀连通至第一排液管道。本发明可以维持液体的温度、体积及浓度,且实现安全排放。
技术领域
本发明涉及一种维持药液槽内液体体积、温度、浓度的安全排放方法,以及涉及到的具体的药液槽的结构,采用该药液槽的硅片清洗设备或湿法处理设备。
背景技术
如图1所示,在湿法清洗设备中,药液反应循环的过程是通过泵005把药液槽004内的液体打到反应槽002,在通过反应槽两边溢流管道003回到副槽,进行循环,药液在与硅片反应的过程中不停的被消耗,导致混合液槽药液的浓度降低,影响槽体药液的温度和硅片的质量,因此会在设备正常运行时会通过补液桶001进行间断性加药液维持混合药液槽的浓度,然而间断性加药液会导致混合液槽的药液体积不断增大,在设备发生故障时(例如:泵突然停止工作,设备突然断电等)反应槽的药液会直接倒流回到混合液槽,导致液体溢流不及时,液体直接从槽的维修口及不密封处直接漏液到槽体外,如果压力大可能会导致槽体损坏,造成严重的安全隐患。
传统设备都是通过软件去控制药液槽底板上的排液阀006,人工在工控机操作排放来减少槽内的体积,这种排放方式存在缺点:1) 很难找到合理的排放时间点,一般靠工艺人员经验;2)需要人员操作和记录不够自动化,且容易出错,如果排液不及时会在设备故障时产生安全隐患;3)设备生产时反应后的液体比重比新补药液比重小,底部排液会导致部分新加药液排掉浪费药液及影响混合液槽内浓度、温度;4)一般排液阀的口径大及其压力大,排放时不好控制也会造成药液的浪费及影响工艺。
发明内容
本发明的目的是针对上述现有技术存在的缺陷,提供一种用于硅片处理设备的药液槽,包括槽体,连通槽体侧壁上溢流口的溢流管道,连通设置在槽体底部的排液口的第一排液管道,设置在第一排液管道上的排液阀,在槽体内距离槽底第一高度的位置处设置第二排液管道,所述第二排液管道位于槽体外的部分通过控制阀连通至第一排液管道。
在一实施例中,所述第一高度为当所述硅片处理设备正常工作时,药液槽内剩余液体的体积对应的高度。
在另一实施例中,所述第一高度满足条件为:第一高度减去设备正常工作时药液槽还剩液体的体积对应的高度小于溢流口的高度减去液槽初始配液时液体的体积对应的高度。
在第一种结构中,所述第二排液管道的入口连接在槽体侧壁上。
在第二种结构中,所述第二排液管道从槽体底部伸入直至所述第一高度。
在第三种结构中,所述第二排液管道从槽体顶部伸入至所述第一高度,并且所述排液管道连接一排液动力装置。
本发明还提出了采用上述药液槽的硅片处理设备。所述硅片处理设备为清洗设备或湿法处理设备等。
本发明还提出了维持上述药液槽内的液体浓度、温度、体积的排放方法,当药液槽配液完毕开始处理硅片后开启所述控制阀,或者在开始处理硅片后,每间隔一段时间开启所述控制阀一段时间。
与现有技术相比,本发明的优点是:第一、由于反应后的液体比重比新补药液比重小,反应后的液体在液体上部沉积,排走的是反应后的药液,可以大大加大补加药液的使用周期;第二、这种排放方式可以确保药液槽内的体积恒定,且补液的量可以保持不变,从而可以维持药液槽的浓度及其温度;第三、这种排放控制方式可以预防设备生产中在发生任何故障时液体倒流到混合液槽导致漫液的安全隐患;第四、可以全自动化不需人为去控制补液量去维持药液槽的浓度、体积和温度;第五、可以减少排液的开关次数延长阀门寿命。
附图说明
图1示出了现有技术的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造