[发明专利]刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710858393.3 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107706105A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 张朋宾;卢朋;祝汉泉;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；
在真空腔室内，对C4F8进行二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对所述源漏极进行修复操作。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在执行所述首次电离操作中，所述真空腔室内的压力为2.66Pa～3.99Pa。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在执行所述首次电离操作中，Cl2的流量为300～500sccm，BCl3的流量为100～200sccm。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在执行所述二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为3.99Pa～6.99Pa。
5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，在执行所述二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为4.32Pa～6.54Pa。
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在执行所述首次电离操作中，C4F8的流量为150～350sccm。
7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，在执行所述首次电离操作中，C4F8的流量为170～320sccm。
8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，对所述源漏极进行修复操作的持续时间为20秒～50秒。
9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，对所述源漏极进行修复操作的持续时间为30秒～40秒。
10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述源漏极设置有钛/铝/钛复合膜层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
