[发明专利]刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及AMOLED制造技术领域，特别是涉及一种刻蚀方法。

背景技术

在采用LTPS(低温多晶硅技术)制作显示屏的过程中，Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)复合膜层通常采用干法刻蚀(Dry Etching)进行，而Dry Etching对Ti/Al/Ti膜层进行刻蚀时候，通常采用的刻蚀气体为氯气(Cl2)，而Cl2很容易对Ti/Al/Ti膜层中的铝(Al)膜层产生腐蚀，一旦Al膜层发生腐蚀，将会对TFT特性和导通电阻、接触电阻将会产生很大影响，因此，如何有效避免Al膜层腐蚀，成为业界内重点关注的问题。

在业界内，防止铝(Al)膜层腐蚀的方法主要有以下两种：

1、O₂+H₂O：O2、H2O在工艺腔室中被电离成Plasma(等离子体)，Plasma中的H结合残留的Cl，以除去Cl。

2、水洗：使Cl溶解在水中，生成HCL，以除去Cl。

然而，第一和第二种方法都需要增加额外的操作腔室和水洗装置，这样，都会增加操作难度，使得工艺操作步骤较为繁琐。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题，以及操作难度较低的刻蚀方法。

一种刻蚀方法，包括如下步骤：

在真空腔室内，对Cl₂和BCl₃的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；

在真空腔室内，对C₄F₈进行二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对所述源漏极进行修复操作。

在其中一个实施例中，在执行所述首次电离操作中，所述真空腔室内的压力为2.66Pa～3.99Pa。

在其中一个实施例中，在执行所述首次电离操作中，Cl₂的流量为300～500sccm，BCl₃的流量为100～200sccm。

在其中一个实施例中，在执行所述二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为3.99Pa～6.99Pa。

在其中一个实施例中，在执行所述二次电离操作中，所述真空腔室内的压力为4.32Pa～6.54Pa。

在其中一个实施例中，在执行所述首次电离操作中，C₄F₈的流量为150～350sccm。

在其中一个实施例中，在执行所述首次电离操作中，C₄F₈的流量为170～320sccm。

在其中一个实施例中，对所述源漏极进行修复操作的持续时间为20秒～50秒。

在其中一个实施例中，对所述源漏极进行修复操作的持续时间为30秒～40秒。

在其中一个实施例中，所述源漏极设置有钛/铝/钛复合膜层。

上述刻蚀方法采用Cl₂和BCl₃的混合气体对所述源漏极进行干法刻蚀操作后，残留的Cl(氯)元素会在后续的处理过程中，对所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层造成腐蚀问题，通过对C₄F₈进行二次电离操作形成第二等离子体来实现对所述源漏极的修复操作，从如下化学式可以看出，C₄F₈→C₄F₇+F，F+AlCl₃→AlF₃+Cl，C₄F₈对Cl元素的吸收效果极好，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题，同时，主刻蚀步骤和修复操作都是在同一腔室内进行，无需增加额外的操作腔室和水洗装置，使得整体工艺操作难度较低。进一步地，由于C₄F₈属于分子量较大的化合物，在修复操作中，可以很好的保护主刻蚀后的金属侧壁(钛/铝/钛复合膜层)，同时，对金属侧壁起到一定的修复和保护作用。

附图说明

图1为本发明一实施方式的刻蚀方法流程图；

图2至图4为本发明一实施方式的钛/铝/钛复合膜层在采用刻蚀方法18小时后的不同放大倍率的电镜图；

图5至图11为本发明一实施方式的钛/铝/钛复合膜层在采用刻蚀方法30天后的不同放大倍率的电镜图。