[发明专利]AMOLED显示面板的制备方法在审
| 申请号： | 201710858394.8 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107706106A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 田金鹏;张毅先;任思雨;谢志生;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | amoled 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
对O2、SF6和氟烷烃的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对所述栅极进行首次干法刻蚀操作；
对Cl2和O2的混合气体进行二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对所述栅极进行二次刻蚀操作；
采用预设注入电压将掺杂元素注入至所述源漏极中。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述首次电离操作中，所述氟烷烃的体积占所述O2、SF6和氟烷烃的混合气体的体积5％～10％。
3.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述首次电离操作中，O2的体积占O2和SF6的混合气体的体积28％～38％。
4.根据权利要求3所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述首次电离操作中，O2的流量为240～360sccm，SF6的流量为500～600sccm。
5.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一等离子体中，O、S和F比例为(1.5～2.5)：(0.5～1.5)：(5.5～6.5)。
6.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述首次电离操作操作中，还向O2、SF6和氟烷烃的混合气体中通入惰性气体。
7.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述首次电离操作中，氟烷烃的流量为50～100sccm。
8.根据权利要求7所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述氟烷烃为CF4、C4F8、CH2F2、CHF3和C2HF5中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述二次电离操作操作中，所述O2的体积占O2和Cl2的混合气体的体积50％～70％。
10.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板的制备方法，其特征在于，预设注入电压为25KV～35KV，所述掺杂元素为硼。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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