[发明专利]AMOLED显示面板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及AMOLED制造技术领域，特别是涉及一种AMOLED显示面板的制备方法。

背景技术

目前，主动式有机发光二极管(Active Matrix Organic Lighting Emitting Diode，AMOLED)，在AMOLED背板制备过程中，由于工艺波动、产线状态的变化。一些缺陷随之增加，降低整个产线的良品率。AMOLED面板黑色不黑和白色显示mura(显示器亮度不均匀)的问题严重的降低了产线的良率。该类产品不良产线检测困难，电路gamma、demura(电路补偿)等手段无法消除。通常会出现大批量的产品不良。

例如，栅极中混入硫元素会造成影响AMOLED品质的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够减少栅极中混入的硫元素的AMOLED显示面板的制备方法。

一种AMOLED显示面板的制备方法，包括如下步骤：

对O₂、SF₆和氟烷烃的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对所述栅极进行首次干法刻蚀操作；

对Cl₂和O₂的混合气体进行二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述第二等离子体对所述栅极进行二次刻蚀操作；

采用预设注入电压将掺杂元素注入至所述源漏极中。

在其中一个实施例中，在所述首次电离操作中，所述氟烷烃的体积占所述O₂、SF₆和氟烷烃的混合气体的体积5％～10％。

在其中一个实施例中，在所述首次电离操作中，O₂的体积占O₂和SF₆的混合气体的体积28％～38％。

在其中一个实施例中，在所述首次电离操作中，O₂的流量为240～360sccm，SF₆的流量为500～600sccm。

在其中一个实施例中，在所述第一等离子体中，O、S和F比例为(1.5～2.5)：(0.5～1.5)：(5.5～6.5)。

在其中一个实施例中，在所述首次电离操作操作中，还向O₂、SF₆和氟烷烃的混合气体中通入惰性气体。

在其中一个实施例中，在所述首次电离操作中，氟烷烃的流量为50～100sccm。

在其中一个实施例中，所述氟烷烃为CF₄、C₄F₈、CH₂F₂、CHF₃和C₂HF₅中的至少一种。

在其中一个实施例中，在所述二次电离操作操作中，所述O₂的体积占O₂和Cl₂的混合气体的体积50％～70％。

在其中一个实施例中，预设注入电压为25KV～35KV，所述掺杂元素为硼。

上述AMOLED显示面板的制备方法通过对O₂、SF₆和氟烷烃的混合气体进行首次电离产生的第一等离子体栅极进行首次干法刻蚀操作，能够更好地减少所述栅极中混入的硫元素。以更好地提高产品的品质。

附图说明

图1为本发明一实施方式的AMOLED显示面板的制备方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

如图1所示，本发明一实施方式的AMOLED显示面板的制备方法包括如下步骤：

S110：对O₂、SF₆和氟烷烃的混合气体进行首次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对所述栅极进行首次干法刻蚀操作。