[发明专利]封装器件结构和封装器件在审
申请号: | 201710858919.8 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN109545767A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 张乃千;杨琼;张永胜;潘宇;马浩;吴星星 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 孙辉 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一电极 封装器件 引线段 基板 墙体 第二电极 电路设计需求 方向延伸 间隔设置 位置间隔 一端开口 容置腔 围设 相交 | ||
1.一种器件封装结构,其特征在于,包括:
基板;
围设于该基板上的墙体,所述墙体与所述基板形成一端开口的容置腔;
间隔设置在所述墙体远离所述基板的一侧的两个第一电极层;
与所述第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层;以及
分别与两个所述第一电极层连接的第一引线以及分别与两个所述第二电极层连接的第二引线;其中:
每个所述第一引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第一引线段以及第二引线段,该第一引线段位于所述第一电极层上方并与该第一电极层接触;其中,两个所述第一引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第二引线段之间的间距。
2.根据权利要求1所述的器件封装结构,其特征在于,每个所述第二引线包括分别沿两个相交的不同方向延伸的第三引线段以及第四引线段,该第三引线段位于所述第二电极层上方并与该第二电极层接触;其中,两个所述第三引线段之间的中心间距小于或等于两个所述第四引线段之间的间距。
3.根据权利要求2所述的器件封装结构,其特征在于,所述第二引线段垂直于所述第一引线段,使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“T”型结构,所述第四引线段垂直于所述第三引线段,使得所述第三引线段和所述第四引线段呈“T”型结构。
4.根据权利要求2所述的器件封装结构,其特征在于,所述第二引线段垂直于所述第一引线段,使得所述第一引线段和所述第二引线段呈“L”型结构,所述第四引线段垂直于所述第三引线段,使得所述第三引线段和所述第四引线段呈“L”型结构。
5.根据权利要求2-4中任意一项所述的器件封装结构,其特征在于,两个所述第二引线段之间的间距及/或两个所述第四引线段之间的间距为5.2mm-10mm。
6.根据权利要求2-4中任意一项所述的器件封装结构,其特征在于,所述第二引线段的宽度范围为第一引线段长度的20%-90%;所述第四引线段的宽度范围为第三引线段长度的20%-90%。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的器件封装结构,其特征在于,所述墙体为陶瓷墙体。
8.根据权利要求2-4中任意一项所述的器件封装结构,其特征在于,所述第二引线段或所述第四引线段的自由端设置有倒角。
9.根据权利要求1所述的器件封装结构,其特征在于,所述第一电极层为输入电极层,所述第二电极层为输出电极层,所述第一引线为输入引线,所述第二引线为输出引线;或者,所述第一电极层为输出电极层,所述第二电极层为输入电极层,所述第一引线为输出引线,所述第二引线为输入引线。
10.一种封装器件,其特征在于,包括芯片、键合引线和上述权利要求1-8中任一项所述的器件封装结构,所述芯片设置于所述器件封装结构中的容置腔,所述芯片通过所述键合引线与所述器件封装结构的第一引线和第二引线分别连接。
11.根据权利要求10所述的封装器件,其特征在于,所述封装器件结构还包括灌封胶,所述灌封胶覆盖所述芯片和所述键合引线的至少部分面积。
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