[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于，

该半导体发光装置具有：基板，其在上表面和下表面分别具有布线图案；倒装安装于所述基板的上表面的1个以上的发光元件；以及倒装安装于所述基板的下表面的1个以上的发光元件，

从所述基板的上方观察，所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件以相邻的方式排列配置，

安装在所述基板的上表面的发光元件在上表面具有发光面，安装在所述基板的下表面的发光元件在所述基板侧具有发光面，

所述基板至少使安装在该基板的下表面的所述发光元件射出的光透过。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述布线图案是将导电性粒子烧结而成的。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述布线图案为多孔质。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述布线图案的线宽为所述发光元件的尺寸以下。

5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述发光元件具有电极，所述布线图案的线宽为所述电极的尺寸以下。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，

从所述基板的上方观察，所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件无间隙地相邻。

7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，

从所述基板的上方观察，相邻的所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件部分重叠。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，

从所述基板的上方观察，相邻的所述基板的上表面的所述发光元件和所述基板的下表面的发光元件的发光颜色不同。

9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述布线图案根据所述发光元件的发光颜色，由不同的导电体材料构成。

10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述基板为挠性。

11.一种半导体发光装置的制造方法，该半导体发光装置具有：基板，其在上表面和下表面分别具有布线图案；倒装安装于所述基板的上表面的1个以上的发光元件；以及倒装安装于所述基板的下表面的1个以上的发光元件，其特征在于，该半导体发光装置的制造方法包含：

膜形成工序，将分散有导电性粒子和绝缘材料的溶液或者分散有被绝缘材料层覆盖的所述导电性粒子的溶液涂覆在使光透过的基板的表面，形成被所述绝缘材料覆盖的所述导电性粒子的膜；以及

布线图案形成工序，对所述膜照射光束，对所述膜的仅一部分区域的所述导电性粒子进行烧结，从而形成固定到所述基板的所述布线图案。

12.根据权利要求11所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，该半导体发光装置的制造方法还包含：

发光元件搭载工序，在所述膜形成工序之后，将具有电极的所述发光元件以所述电极与所述膜相接的方式进行搭载；以及

连接区域形成工序，使光束从所述基板的与搭载有所述膜的一侧相反侧的面透过所述基板而照射所述膜的与所述电极相接的区域，对与所述电极相接的区域的所述导电性粒子进行烧结，形成分别固定于所述电极以及所述基板的与所述电极相对的面上的导电性的电极连接区域。

13.根据权利要求11或12所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

在所述布线图案形成工序和所述连接区域形成工序中照射的所述光束为激光。

14.根据权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

所述光束向所述膜的照射直径比所述电极小。

15.根据权利要求12所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

所述布线图案形成工序与所述连接区域形成工序连续，通过使所述光束从所述基板的与搭载有所述膜的一侧相反侧的面透过所述基板而照射到所述膜的一部分区域来进行。

16.根据权利要求15所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，

在所述布线图案形成工序和所述连接区域形成工序的至少一方中，对所述光束进行扫描。