[发明专利]半导体发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及在基板上高密度地搭载有半导体发光元件的装置。

背景技术

以往，广泛公知有如下方法：在含有玻璃纤维的环氧树脂等的基板上粘贴铜箔，通过利用掩模对该铜箔进行蚀刻，形成布线图案。在该方法中，需要确保能够进行利用掩模来形成图案的处理的最小布线图案宽度和图案间隙尺寸，缩小布线图案宽度存在限制。此外，在布线图案上高密度地搭载电子部件(发光元件)时，使用了保持电子部件使其移动至布线图案并进行位置对准来进行配置的装置，但必须以该装置的位置精度以上增大相邻的电子部件(发光元件)之间的间隙(gap)，缩小电子部件之间的间隙存在限制。

专利文献1中公开了如下光源：为了获得高亮度的LED照明光源，在重叠配置的2张安装基板上，以从上表面观察时成为矩阵状的方式将多个LED元件每隔1个交替安装。使2张安装基板中的上侧的安装基板透明，由此使搭载于下侧的安装基板上的LED元件发出的光在上侧的安装基板中透过，与搭载于上侧的安装基板上的LED元件射出的光一起朝向上方射出。

另一方面，如专利文献2中公开的那样，在印刷型电子产品领域中开发出如下的方法：在利用凹版、柔版印刷等，用以金属纳米粒子为主体的油墨对布线图案进行描绘(印刷)以后，对基板整体照射光来对金属纳米粒子进行烧制，由此形成布线图案宽度和图案间隙尺寸小的布线图案。在专利文献2所记载的方法中，在用导电性油墨对布线图案进行印刷以后，将油墨中包含的液状介质去除成规定的范围(0.01～3质量％)，由此防止在光烧制之前布线图案损坏，防止在光烧制时在布线图案的内部产生空孔。

专利文献1：日本特开2006-49026号公报

专利文献2：日本特开2014-17364号公报

发明内容

专利文献1的技术是将多个LED元件分开搭载到相对配置的2张基板的结构，所以需要2张基板，无法使装置紧凑。此外，需要隔开2张基板的间隔相对配置，所以难以使用挠性的基板。

此外，专利文献2的技术在利用导电性油墨将布线图案印刷到基板上以后，对布线图案整体照射光来进行光烧制，所以基板整体的温度上升。因此，在使用树脂等耐热温度低的基板的情况下，基板膨胀，有可能在布线图案中产生变形。特别是在使用挠性的树脂制的基板的情况下，有可能通过光照射在基板自身中产生变形。此外，在专利文献2的技术中，以不在布线图案的内部产生空孔的方式对金属纳米粒子进行了光烧制，所以烧制后的布线图案的挠性小，在使用了挠性的基板的情况下，无法追随基板的挠曲，有可能在布线图案中产生裂纹或者从基板剥离。

本发明的目的在于提供一种为1张基板，将多个发光元件相邻地配置的发光装置。

为了达成上述目的，本发明的半导体发光装置具有：基板，其在上表面和下表面分别具有布线图案；倒装安装于基板的上表面的1个以上的发光元件；倒装安装于基板的下表面的1个以上的发光元件。从基板的上方观察，基板的上表面的发光元件和基板的下表面的发光元件以相邻的方式排列配置。安装在基板的上表面的发光元件在上表面具有发光面，安装在基板的下表面的发光元件在所述基板侧具有发光面，基板至少使安装在该基板的下表面的发光元件射出的光透过。

根据本发明，可提供一种能够在1张基板上以相邻的方式排列多个发光元件且发光元件的配置密度较大的半导体装置。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体发光装置，(a)是俯视图，(b)是剖视图。

图2的(a)是将第1实施方式的半导体发光装置放大后的俯视图，(b)是放大后的剖视图。

图3的(a)～(h)是示出第1实施方式的半导体发光装置的制造方法的说明图。

图4是示出在第1实施方式中形成的布线图案为多孔质的说明图。

图5的(a)～(d)是示出第1实施方式的半导体发光装置的另一制造方法的说明图。

图6是第2实施方式的半导体发光装置的俯视图。

图7的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。

图8的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。

图9的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。

图10的(a)是第3实施方式的半导体发光装置的变形的俯视图，(b)是剖视图。

标号说明

10、11、12：基板；30a、30b、30c、30d：发光元件；31：电极；40：电极搭载区域；43a、43b：布线图案；41：膜；42：凸块。