[发明专利]一种光罩的校正方法有效

专利信息
申请号: 201710861813.3 申请日: 2017-09-21
公开(公告)号: CN107741684B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 汪悦;张月雨;于世瑞 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;H01L21/266
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 校正 方法
【说明书】:

发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光罩的校正方法,应用于一器件结构,包括:步骤S1,提供一原始版图;步骤S2,对原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正,以得到对应离子注入层的一初始目标图形,以及对应的有源区图形;步骤S3,对间距大于预设距离的相邻的有源区图形进行切角处理;步骤S4,将进行切角处理后的有源区图形之间的初始目标图形的边向内进行平移,得到一最终目标图形;步骤S5,对最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正,以得到一光罩;通过该校正方法形成的光罩,其离子注入层图形边的移动量得到了提高,从而进一步增加离子注入层光阻尺寸大小,降低离子注入层光阻剥落的风险。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光罩的校正方法。

背景技术

在半导体制造过程中,离子注入是一项非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体掺杂,将特定的杂质原子以离子加速的方式注入硅半导体晶体管内改变其导电特性并最终形成晶体管结构。而随着半导体工艺技术的不断发展,离子注入层的特征尺寸越来越小,而由于离子注入层在曝光过程中会受到前层多晶硅层及浅沟槽隔离区域的反射作用,会导致光阻收缩甚至剥落,从而影响前层离子注入。

现有技术在解决这种问题时,通过合并离子注入层图形来消除较小的光阻或者通过移动其边来增大光阻尺寸。但由于前层图形的复杂性以及离子注入层边选择的局限性,仍然会存在部分位置光阻受反射作用而导致光阻收缩甚至剥落的风险。

发明内容

针对上述问题,本发明提出了一种光罩的校正方法,应用于一器件结构,所述器件结构包括多个相互间隔的有源区以及围绕所述有源区的离子注入层;其中,存在相邻的两个所述有源区之间的间距大于一预设距离;所述校正方法包括:

步骤S1,提供一原始版图;

步骤S2,对所述原始版图进行基于规则的邻近光学效应校正,以得到对应所述离子注入层的一初始目标图形,以及对应所述有源区的有源区图形;

步骤S3,对间距大于所述预设距离的相邻的所述有源区图形进行切角处理;

步骤S4,将进行所述切角处理后的所述有源区图形之间的所述初始目标图形的边向内进行平移,得到一最终目标图形;

步骤S5,对所述最终目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正,以得到一光罩。

上述的校正方法,其中,所述有源区图形为矩形;

所述步骤S3中,所述切角操作具体为:采用切角图形将间距大于所述预设距离的相邻的所述有源区图形的相邻的边上的四个角进行切割。

上述的校正方法,其中,所述切角图形为具有一个倒角的矩形。

上述的校正方法,其中,所述切角图形为等腰直角三角形。

上述的校正方法,其中,所述切角图形为扇形。

上述的校正方法,其中,所述步骤S4中,所述初始目标图形的边向内侧平移后形成一凹口,平移后的边为所述凹口的底边。

上述的校正方法,其中,所述凹口在所述底边的两侧形成有两个直角。

有益效果:本发明提出的一种光罩的校正方法,形成的光罩能够提高离子注入层图形边的可移动量,从而进一步增加离子注入层光阻尺寸大小,降低离子注入层光阻剥落的风险。

附图说明

图1为本发明一实施例中光罩的校正方法的步骤流程图;

图2~5为本发明一实施例中光罩的校正方法的图形表示图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710861813.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top