[发明专利]太阳能电池背钝化膜层结构及其生成方法在审
| 申请号： | 201710861951.1 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107658358A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈克;樊华;聂玉山;张子森;彭彪;李慧;谈锦彪 | 申请（专利权）人： | 东方环晟光伏（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/049 | 分类号： | H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 刘畅,徐冬涛 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 钝化 结构 及其 生成 方法 | ||
1.一种太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于太阳能电池衬底背表面依次附有氧化硅膜、氧化铝膜和氮化硅膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述氧化硅膜膜厚范围1-10nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述氧化铝膜膜厚范围2-35nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述氧化铝膜的折射率为1.55-1.70。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述氮化硅膜为一层，膜厚范围60-180nm。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述氮化硅膜的折射率为1.9-2.3。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述氮化硅膜为两层，第一层氮化硅膜膜厚范围10-60nm；第二层氮化硅膜膜厚50-90nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池背钝化膜层结构，其特征在于所述第一层氮化硅膜的折射率为2.1-2.3；所述第二层氮化硅膜的折射率为1.9-2.0。
9.一种太阳能电池背钝化膜层的生成方法，其特征在于包括以下步骤：
S1：采用腔体加热温度300-500℃，压力为0.1-0.2mbar，通入N2O流量100sccm-1000sccm；通过射频/微波功率为400-1500W笑气离子态对硅的表面生成氧化硅膜；
S2：采用第一PECVD设备在氧化硅上生成氧化铝膜，腔体环境加热热温度300-400℃，功率400-1500W，通入TMA与N2O气体，TMA与N2O流量比1:3-1:7，气压0.10-0.20mbar；
S3：采用第二PECVD设备在氧化硅与氧化铝膜上沉积氮化硅膜，加热温度400-500℃，功率1000-2000W，通入SiH4与NH3气体，SiH4与NH3流量比1:2-1:5；气压0.2-0.3mbar。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池背钝化膜层的生成方法，其特征在于S2中，功率范围为400-500W；S3中，功率范围为1300-1700W。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方环晟光伏（江苏）有限公司，未经东方环晟光伏（江苏）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710861951.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏热收集器
- 下一篇：主动矩阵式影像感测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
