[发明专利]基板处理装置和处理液供给方法

说明书

提供一种基板处理装置和处理液供给方法。能够更准确地进行利用期望的温度的SPM液的处理。该基板处理装置具备：处理液供给机构(70)，其向基板供给SPM液；温度调整部(加热器)(303)，其用于对从处理液供给机构(70)向基板供给时的SPM液的温度进行调整；获取部(温度传感器)(80)，其用于获取基板的表面上的SPM液的温度信息；以及控制部(18)，其根据由获取部(温度传感器)(80)获取到的SPM液的温度信息来设定温度调整部(加热器)(303)中的调整量，其中，温度调整部(加热器)(303)基于由控制部(18)设定的调整量来对向基板供给时的SPM液的温度进行调整。

技术领域

本发明涉及一种将加热后的处理液供给到基板来对基板进行处理的技术。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，在形成于半导体晶圆等基板(以下也简称为“晶圆”)的处理对象膜之上以规定图案形成抗蚀剂膜，将该抗蚀剂膜作为掩模来对处理对象膜实施蚀刻、离子注入等处理。处理后，从晶圆上去除不需要的抗蚀剂膜。作为抗蚀剂膜的去除方法，经常使用SPM处理。SPM处理是通过向抗蚀剂膜供给将硫酸和过氧化氢水混合所得到的高温的SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)液来进行的。

在专利文献1中公开了如下一种基板处理装置：使用设置于硫酸供给路的加热器来进行硫酸的温度调整，由此生成期望的温度的SPM液后向基板供给该SPM液。关于此处的加热器的运用条件，事前通过实验来掌握混合之前的硫酸温度与从SPM喷嘴喷出的SPM液的温度之间的关系，基于该关系来决定该加热器的运用条件。

专利文献1：日本特开2013-207080号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，当基板的转速、排气流量、处理液的硫酸浓度等处理条件精细地不同时，存在只在通过实验决定的运用条件下无法向基板上高精度地供给期望的温度的SPM液的担忧。

本发明是用于解决上述的问题而完成的，其目的在于能够更准确地进行利用期望的温度的SPM液的处理。

用于解决问题的方案

为了解决上述的问题，本发明的基板处理装置的特征在于，具备：处理液供给机构，其将硫酸和过氧化氢水混合来生成硫酸过氧化氢混合物液，并向基板供给所生成的硫酸过氧化氢混合物液；温度调整部，其对从所述处理液供给机构向所述基板供给时的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度进行调整；获取部，其获取所述基板的表面上的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度信息；以及控制部，其根据由所述获取部获取到的所述温度信息来设定所述温度调整部中的调整量，其中，所述温度调整部基于由所述控制部设定的调整量来对从所述处理液供给机构向所述基板供给时的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度进行调整。

发明的效果

本发明具有能够更准确地进行利用期望的温度的SPM液的处理的效果。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。

图2是表示本发明的实施方式所涉及的处理单元的概要结构的图。

图3是第一实施方式所涉及的基板处理系统中的处理液供给系统的具体的结构例。

图4是对本实施方式所涉及的处理单元所执行的基板处理的内容进行说明的图。

图5是表示作为温度信息的晶圆上的SPM液的温度分布的一例的图。

图6是对第一实施方式中的SPM液的温度调整的控制进行说明的流程图。