[发明专利]一种检测交流110V-LED芯片的方法

说明书

本发明提供了一种交流110V‑LED芯片亮度的检测方法，包括步骤：A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X，将该差值作为后续判断芯片质量是否合格的阈值标准，准确方便，有效筛选出了存在小电流漏电的芯片。

技术领域

本发明涉及芯片亮度检测的技术领域，特别地，涉及一种检测交流110V-LED芯片的方法。

背景技术

面对愈来愈烈的LED芯片行业竞争与市场竞争，提升芯片产品的竞争力则是所有芯片厂的当务之急。而现有正装芯片产品的竞争日趋激烈，利润空间已经很小。而一些特色产品的利润空间仍然很大，如高压芯片、倒装芯片、交流芯片等。交流110V-LED芯片的开发目旨在避开普通照明芯片的激烈竞争，价格大战，独辟蹊径开发特殊客户群体，提升产品效益和竞争力。然而因为差异化产品属于全新的领域，交流芯片与正常的正装芯片存在很大差异，测试方法也无法通用，由于测试方法的欠缺，在开发的过程中不可避免的会出现一些不可控的情况，特别是个别单胞的小电流漏电情况对ACLED的可靠性影响非常大，但是现有的芯片检测方法又不能将小电流漏电的情况检测出来，业内也没有固定的测试标准。

在芯片端无法有效的筛选出存在小电流漏电的芯片，客户在使用过程中通过串并联的方式使用后又会将异常的比例放大，造成产品质量问题。

业内急需一种有效筛选小漏电芯片的新型技术。

发明内容

本发明目的在于提供一种检测交流110V-LED芯片的方法，以解决小电流漏电芯片的情况不能及时筛选出来的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种交流110V-LED芯片亮度的检测方法，包括步骤：

A、用低电流正反测试芯片的亮度，并取正反向测试亮度的差值；

B、将不同差值段的芯片用光型仪低电流持续点亮，并观察每个单胞的发光情况，确定存在单胞死灯的差值段，并进行重复验证，确定死灯比例最高的差值段；死灯即不亮灯的单胞；

C、统计数据，确定存在漏电风险的芯片亮度差值为X。

优选的，在步骤A之前包括：

用正常使用的电流正反测试芯片电压、亮度、波长、漏电等参数，采用普通正装芯片的通用测试方法，对芯片进行初步筛选。

优选的，在步骤C之后包括：

在点测机台上设定低电流亮度差的卡值X，作为芯片筛选的亮度差阈值。

优选的，不同差值段的区分方法为：以亮度差值的最大值和最小值为区域极点，每隔10％～30％列为一个插值段。

本发明具有以下有益效果：

本发明通过先取得待测芯片的电流正反向测试亮度的差值，然后根据差值数值将芯片分为多个组，反复验证每一个组段的发光情况，并确定存在漏电风险的芯片亮度差值，将该差值作为后续判断芯片质量是否合格的阈值标准。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将对本发明作进一步详细的说明。

具体实施方式

以下对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

本申请提供一种有效的检测ACLED小电流漏电的方法，以解决下游客户端交流110V-LED芯片小电流强度不一、明暗不一、常规电流驱动短时间内易死灯的情况，具体技术方案如下：