[发明专利]一种晶体硅太阳能电池热氧工艺在审
申请号: | 201710873592.1 | 申请日: | 2017-09-25 |
公开(公告)号: | CN107768482A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 张财;付少剑;杨晓琴;肖文明;李超 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/316 |
代理公司: | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙)36125 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能光伏技术领域,特别是涉及一种晶体硅太阳能电池热氧工艺。
背景技术
近年来,太阳能电池片生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,使得光伏发电的应用日益普及并迅猛发展,逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池片可以在阳光的照射下,把光能转换为电能,实现光伏发电。
太阳能电池片的生产工艺比较复杂,简单说来,太阳能电池的制作过程主要包括:制绒、扩散、刻蚀、热氧、PECVD镀膜、丝网印刷和烧结、测试等。太阳电池片是一种将光能转换成电能的电池片,它对光的吸收和利用直接决定着转换效率和输出功率. 为了提高晶体硅太阳电池对光的吸收,减少光在硅片表面的反射,通常采取表面织构以及沉积减反射薄膜的方法,从而改善电池片性能. 目前,工业化生产中常采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 系统在硅片表面沉积氮化硅薄膜,但是氮化硅与晶体硅界面由于晶格失配严重,会导致严重的界面复合,其性质远不如二氧化硅和晶体硅 . 为同时达到比较理想的钝化和减反效果,采用热氧工艺低温生长二氧化硅薄膜, 然后再PECVD 沉积氮化硅膜,优化的二氧化硅、氮化硅双层膜能起到钝化和减反射的双重作用,明显改善太阳电池对光的吸收利用和光生载流子的输出。因此,提出一种在刻蚀后硅片表面制备一层均匀性,致密性较好的氧化层的方法,对提高钝化和减反射的作用,最终提高太阳能电池转化效率显得尤为重要。
发明内容
一种晶体硅太阳能电池热氧工艺,:经过刻蚀后,在硅片绒面上制备一层二氧化硅致密的氧化膜。
一种晶体硅太阳能电池热氧工艺:所述二氧化硅致密的氧化膜是使用热氧炉进行热氧工艺制备而成。
一种晶体硅太阳能电池热氧工艺:所述热氧工艺包括以下步骤:
(1)将硅片进行制绒、扩散、刻蚀。
(2)将刻蚀后的硅片在热氧炉中进行热氧工艺,使硅片绒面在热氧工艺中氧化得到2-12nm的二氧化硅致密的氧化膜。
(3)将制备好的硅片进行PECVD镀膜,丝网正反面电极印刷,烧结、测试。
4. 一种晶体硅太阳能电池热氧工艺:步骤(3)中的热氧工艺控制氧气流量为1-5L/min,氮气为5-30L/min,时间为10-30min。
5.一种晶体硅太阳能电池热氧工艺热氧工艺共9个步骤,分别为:(1)准备阶段;(2)进舟阶段;(3)出舟阶段;(4)检漏阶段;(5)加热阶段;(6)热氧化阶段;(7)冷却阶段;(8)进舟阶段;(9)出舟阶段。
具体实施方式
实施例1:
一种晶体硅太阳能电池热氧工艺:取硅片电阻率为1-3Ω.cm, 156.75mmX156.75mm 规格的P型多晶硅片500pcs,将硅片进行制绒、扩散、刻蚀,上述步骤中关闭臭氧发生器,将刻蚀后的硅片在热氧炉中进行热氧工艺,使硅片绒面在热氧工艺中氧化形成氧化膜,热氧工艺的氧气流量为1.2L/min,氮气流量为8L/min,时间为16min,将制备好的硅片进行PECVD镀膜,丝网正反面电极印刷,烧结,测试。
实施例2
一种晶体硅太阳能电池热氧工艺:取硅片电阻率为1-3Ω.cm 156.75mmX156.75mm 规格的P型多晶硅片500pcs,将硅片进行制绒、扩散、刻蚀,上述步骤中关闭臭氧发生器,将刻蚀后的硅片在热氧炉中进行热氧工艺,使硅片绒面在热氧工艺中氧化形成氧化膜,热氧工艺的氧气流量为1L/min,氮气流量为5L/min,时间为10min,将制备好的硅片进行PECVD镀膜,丝网正反面电极印刷,烧结,测试。
实施例3
一种晶体硅太阳能电池热氧工艺:取硅片电阻率为1-3Ω.cm ,156.75mmX156.75mm 规格的P型多晶硅片500pcs,将硅片进行制绒、扩散、刻蚀,上述步骤中关闭臭氧发生器,将刻蚀后的硅片在热氧炉中进行热氧工艺,使硅片绒面在热氧工艺中氧化形成氧化膜,热氧工艺的氧气流量为5L/min,氮气流量为30L/min,时间为30min,将制备好的硅片进行PECVD镀膜,丝网正反面电极印刷,烧结,测试。
实施例4
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的