[发明专利]一种芯片的转移方法有效
| 申请号： | 201710874383.9 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107634029B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;赖韬;杨斌;张昱 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 转移 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片的转移方法，包括以下步骤：
在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；
将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；
将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离；所述有机材料层的有机材料为有机硅树脂或环氧树脂，透光率在95％以上；
所述有机材料层中的磁性材料为镍基合金或铁氧体材料，含量小于5wt％。
2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述软磁材料为FeNi(Mo)、FeSi、FeAl、FeSiAl、羰基铁或铁氧体。
3.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述有机材料层的厚度为0.001mm～0.01mm。
4.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述导电杆头部的尺寸小于等于晶圆芯片的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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