[发明专利]一种芯片的转移方法

说明书

本发明提供了一种芯片的转移方法，包括以下步骤：在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离。本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，解决了微型芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片的转移效率。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片的转移方法。

背景技术

随着信息产业的迅猛发展，电子产品的应用越来越广泛，其需求量也日益增加。芯片之类的微小电子元器件作为电子产品的最小单位，是电子产品制造和应用的基础。

目前，Micro-LED可能成为下一代显示技术的新应用；智能手机、可穿戴装置、电视屏幕、车用显示器、公共显示器包括户外超大屏幕都是Micro-LED的未来发展趋势。所谓的Micro-LED即LED微缩技术，是将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。但随之而来的问题是微米级芯片尺寸太小，导致芯片贴装效率低，这已经成为制约Micro-LED技术发展的技术瓶颈，因此实现微米级芯片的巨量转移、高效贴装仍然是本领域亟需解决的技术难题之一。因此针对微米级芯片尺寸太小，芯片贴装效率低的问题，本发明提供了一种微型芯片的转移方法。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种芯片的转移方法，本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，以提高微型芯片的转移效率。

有鉴于此，本申请提供了一种芯片的转移方法，包括以下步骤：

在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；

将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；

将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离。

优选的，所述有机材料层的有机材料为有机硅树脂或环氧树脂，透光率在95％以上。

优选的，所述有机材料层中的磁性材料为镍基合金或铁氧体材料，含量小于5wt％。

优选的，所述软磁材料为FeNi(Mo)、FeSi、FeAl、FeSiAl、羰基铁或铁氧体。

优选的，所述有机材料层的厚度为0.001mm～0.01mm。

优选的，所述导电杆头部的尺寸小于等于晶圆芯片的尺寸。

本申请提供了一种芯片的转移方法，其首先在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层，将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部的软磁材料与有机材料层相反的磁性实现导电杆与晶圆芯片的吸附，在晶圆芯片倒装焊接后，导电杆通反向电流实现与晶圆芯片的脱离。上述芯片的转移方法，在导电杆接通正向电流与反向电流后，利用导电杆头部的软磁材料通电后易磁化和退磁的特性，实现了芯片的有效转移，解决了微米级芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片转移的效率。

附图说明

图1为本发明芯片转移方法示意图。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

针对微米级芯片尺寸太小，芯片贴装效率低的问题，本发明提供了一种芯片的转移方法，主要针对微米级芯片的转移，本申请提供的芯片转移方法可实现芯片的高效率转移，具体的，所述芯片的转移方法，包括以下步骤：