[发明专利]阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201710875366.7 | 申请日： | 2017-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107706149B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈晓威;李家琪 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔，所述基板上形成有薄膜晶体管及覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层，所述平坦化层形成在所述第一钝化层上；
在所述第一过孔中形成过渡层；
形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及所述图案化钝化层均暴露出所述过渡层；
刻蚀除去所述过渡层；
保留用于刻蚀除去所述过渡层的光阻层；
利用所述光阻层刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分；
形成第二图案化透明电极层，所述第二图案化透明电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述第一过孔中形成过渡层的步骤包括：
将溶液型的涂层材料涂布在所述平坦化层上以形成过渡涂层；
利用第一光罩图案化所述过渡涂层，得到位于所述第一过孔中的过渡层。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一光罩为用于制作所述图案化钝化层的光罩，用于制作所述过渡层的光阻层采用负性光刻胶，用于制作所述图案化钝化层的光阻层采用正性光刻胶。
4.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方式刻蚀所述过渡涂层。
5.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方式刻蚀除去所述过渡层。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述过渡层的厚度大于或等于1μm。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀除去所述过渡层的步骤包括：
保留用于制作所述图案化钝化层的光阻层；
利用所述光阻层刻蚀除去所述过渡层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
