[发明专利]阵列基板的制作方法

说明书

一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔；在所述第一过孔中形成过渡层；形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及图案化钝化层均暴露出所述过渡层；刻蚀除去所述过渡层。本发明在平坦化层上的过孔中形成过渡层，可降低过孔落差，使得在形成第一图案化透明电极层的过程中不会有光阻残留在过孔中，进而避免过孔中存在透明电极材料残留而导致后续制程出现盲孔。

技术领域

本发明涉及显示的技术领域，特别是关于一种阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)和薄膜晶体管阵列基板(TFTarray)以及夹置在两者之间的液晶层(LC layer)。

图1A至图1E为现有的一种阵列基板的制作方法中的各步骤的截面示意图。如图1A至图1E所示，现有的制作方法包括以下步骤：

在图1A中，基板(图未示)上设有第一钝化层(PV)11，平坦化层12形成于第一钝化层11上，在平坦化层12中开设用于电极搭接的过孔121；

在图1B中，在平坦化层12上形成透明导电层13，透明导电层13的材料例如为ITO(铟锡氧化物)；

在图1C中，在透明导电层13上涂布光刻胶(Photoresist，PR)14，由于PR存在流动性，会向平坦化层12上的过孔121中填充，而平坦化层12的膜厚通常较厚，使得过孔121断差较大，导致过孔121中光刻胶14膜厚过厚；

在图1D中，对光刻胶14进行曝光、显影，得到图案化的光阻层覆盖在平坦化层12上面的透明导电层13上，然而，由于过孔121中光刻胶14膜厚过厚，在显影后仍有一部分光阻141残留在过孔121中覆盖部分的透明导电层13；

在图1E中，刻蚀透明导电层13，得到图案化的透明电极层13，使透明电极层13与过孔121对应的部分暴露出下面的第一钝化层11，但是由于过孔121中残留的光阻141覆盖部分的透明导电层13，导致这部分透明导电层131没有在刻蚀过程中被完全刻蚀除去，仍残留在过孔121中。

在后续制程中，当需要刻蚀除去第一钝化层11上与过孔121对应的部分以暴露出位于下方的导电层(图未示)时，由于第一钝化层11采用干刻(DET)方式去除，而干刻方式对ITO的蚀刻率极低，也即对残留的透明导电层131蚀刻率极低，这将导致这个位置上的第一钝化层11不能被完全刻蚀除去而出现盲孔，继而导致后续电极搭接不良的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，可避免平坦化层上的过孔中存在透明电极材料残留而导致后续制程出现盲孔。

本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔；

在所述第一过孔中形成过渡层；

形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及所述图案化钝化层均暴露出所述过渡层；

刻蚀除去所述过渡层。

进一步地，所述基板上形成有薄膜晶体管及覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层，所述平坦层形成在所述第一钝化层上。

进一步地，在所述刻蚀除去所述过渡层的步骤之后，还包括：

刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分；

形成第二图案化透明电极层，所述第二图案化透明电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管连接。