[发明专利]一种高散热性的SMP贴片式二极管

说明书

技术领域：

本发明涉及一种高散热性的SMP贴片式二极管，涉及贴片二极管技术领域。

背景技术：

贴片二极管又称晶体二极管，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，贴片晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性，而目前很多的贴片二极管的体积较大，因而不能满足市场上对于小型化和薄型化需求。

发明内容：

本发明所要解决的技术问题是：提供一种结构简单、体积小且散热效果好的SMP贴片式二极管。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种高散热性的SMP贴片式二极管，包括框架、芯片、引脚、绝缘塑封层以及散热片，所述芯片置于框架内，所述引脚包括第一引脚以及第二引脚，所述第一引脚、第二引脚的一端连接框架且通过连接片分别与芯片的输入端、输出端连接，所述框架、芯片以及第一引脚、第二引脚端部均通过绝缘塑封层封装焊接在一起，所述第一引脚以及第二引脚的自由端左右延伸且均与绝缘塑封层的底部平齐，所述第一引脚的端部设置为T型且贴合内嵌于绝缘塑封层底部，所述散热片覆盖固定于绝缘塑封层的背部。

作为优选，所述框架设置为铜质框架。

作为优选，所述散热片镶嵌于绝缘塑封层的背面且设置为铜质金属散热片。

作为优选，所述绝缘塑封层设置为环氧树脂塑封材料层。

作为优选，所述散热片距离绝缘塑封层的底部距离为1.3mm。

作为优选，所述第一引脚的端部的T型片宽度设置为4mm。

作为优选，所述绝缘塑封层的宽度设置为5.9mm。

与现有技术相比，本发明的有益之处是：所述高散热性的SMP贴片式二极管采用铜质散热片结构，具有以下优点：

1、有效提高了散热效果，大幅提高了工作时的额定电流，能应对的最大额定电流达到15A，最大正向峰值浪涌电流达到200A，最大输入电压达1200V，最高工作温度达150°；

2、 可以使用在AC/DC电源前端整流，以及整流后的蓄流端，有效替换目前的插件快恢复系列二极管；

3、 较大程度减小了整体装置的体积，满足市场关于产品小型化和薄型化需求；

4、 其芯片采用SIPOS工艺的玻璃钝化保护技术，高温工作下反向漏电更小，可靠性更好。

附图说明：

下面结合附图对本发明进一步说明：

图1是本发明的侧面剖视结构示意图；

图2是本发明的仰视结构示意图。

具体实施方式：

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围：

如图1、图2所示的一种高散热性的SMP贴片式二极管，包括框架1、芯片2、引脚、绝缘塑封层3以及散热片4。

所述芯片2置于框架1内，作为优选实施方案，在本实施例中，所述框架1设置为铜质框架，继而有效提高导通效果，在本实施例中，所述芯片采用SIPOS工艺的玻璃钝化保护技术制成，因而高温工作下反向漏电更小，可靠性更好。

所述引脚包括第一引脚5以及第二引脚6，所述第一引脚5、第二引脚6的一端连接框架1且通过连接片分别与芯片2的输入端、输出端连接，所述框架1、芯片2以及第一引脚5、第二引脚6端部均通过绝缘塑封层3封装焊接在一起，作为优选实施方案，为提高封装效果，绝缘塑封层3设置为环氧树脂塑封材料层。

所述第一引脚5以及第二引脚6的自由端左右延伸且均与绝缘塑封层3的底部平齐，所述第一引脚5的端部设置为T型且贴合内嵌于绝缘塑封层3底部，所述散热片4覆盖固定于绝缘塑封层3的背部，进一步地，散热片4镶嵌于绝缘塑封层3的背面且设置为铜质金属散热片，因而，强散热性的铜质金属散热片能有效提高整体结构的散热效果，因而方便缩小整体装置的体积和厚度，满足市场上对于贴片二极管的小型化和薄型化的需求，实用性和经济效益高。