[发明专利]一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法

权利要求书

1.一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在衬底上生长N型AlGaN基材料；

(2)在N型AlGaN基材料表面制备掩膜材料；

(3)利用光刻胶刻蚀掩膜材料，制备AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列生长窗口；

(4)通过选择外延，在AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的生长窗口上依次生长I型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料；

(5)分别在N型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料上制备欧姆接触电极，得到PIN结构的AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列；

在衬底上生长N型AlGaN基材料的生长方法采用“两步生长法”生长N型AlGaN基材料，即先生长AlGaN低温缓冲层，再升温生长非故意掺杂AlGaN并利用N型掺杂剂进行掺杂而生长N型AlGaN基材料。

2.根据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(1)在衬底上生长N型AlGaN基材料所用的衬底为蓝宝石、硅或碳化硅。

3.据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(1)在衬底上生长N型AlGaN基材料的生长方法为金属有机化合物气相沉积法或者分子束外延法。

4.据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(2)所述掩膜材料为SiO₂或TiN。

5.据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(2)在N型AlGaN基材料表面制备掩膜材料的方法为等离子体增强化学气相沉积法。

6.据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(3)中生长窗口的制备方法包括光刻和刻蚀掩膜材料的步骤。

7.据权利要求6所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(3)中掩膜材料的刻蚀方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

8.据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(4)选择外延所用的方法为金属有机化学气相沉积法或分子束外延法。

9.据权利要求1所述的自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，其特征在于，步骤(5)分别在N型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料上制备欧姆接触电极的方法包括套刻、蒸镀金属电极和退火的步骤，一次完成AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的N型AlGaN欧姆接触电极和P型AlGaN欧姆接触电极的制备。