[发明专利]薄膜准直器及其形成方法有效
申请号: | 201710881721.1 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN109308440B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 王唯科 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00;G02B27/30;G02B6/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 准直器 及其 形成 方法 | ||
1.一种薄膜准直器,包括:
一基底,具有一光电二极管;
一第一遮光层,设置于该基底上,具有对应于该光电二极管的一开口;
一干涉型滤光膜,设置于该基底与该第一遮光层之间;以及
一吸收型滤光膜,设置于该基底上,
其中当一第一光线以相对于该基底的一上表面的一法线的一第一角度入射时,该干涉型滤光膜在一第一波段的穿透率大于50%,且当一第二光线以相对于该基底的该上表面的该法线的一第二角度入射时,该干涉型滤光膜在一第二波段的穿透率大于50%,该吸收型滤光膜在一第三波段的穿透率大于50%,且其中该第一波段与该第三波段部份重叠,该第二波段不与该第三波段重叠,且该第二角度大于该第一角度。
2.如权利要求1所述的薄膜准直器,其中该吸收型滤光膜设置于该基底与该干涉型滤光膜之间,且该吸收型滤光膜包括一颜料或一聚合物,且该干涉型滤光膜包括一无机材料。
3.如权利要求1所述的薄膜准直器,其中该吸收型滤光膜设置于该第一遮光层的该开口内,且该吸收型滤光膜包括一颜料或一聚合物,且该干涉型滤光膜包括一无机材料。
4.如权利要求1所述的薄膜准直器,更包括:
一第二遮光层,设置于该基底与该干涉型滤光膜之间,其中该第二遮光层具有对应于该光电二极管的一开口,且该吸收型滤光膜设置于该第二遮光层的该开口内;以及
一导线层,设置于该基底内,且与该光电二极管相邻。
5.如权利要求1所述的薄膜准直器,更包括:
一发光单元,其设置来将具有一特定波段的光线发射至一物体上,其中该第一波段部份重叠该第三波段于一第四波段,且该特定波段包括该第四波段,该第四波段的半高峰宽(FWHM)介于10nm与50nm之间,该第四波段的波峰介于450nm与940nm之间。
6.如权利要求1所述的薄膜准直器,其中该第一角度小于或等于40°。
7.如权利要求1所述的薄膜准直器,其中该第一波段的最大波长为一第一波长,该第三波段的最小波长为一第二波长,该第一波长比该第二波长长,该第一波段与该第三波段重叠于一第四波段,且该第四波段介于该第二波长与该第一波长之间。
8.如权利要求7所述的薄膜准直器,其中该第三波段的该第二波长比450nm长。
9.如权利要求7所述的薄膜准直器,其中该第一波段的最小波长为一第三波长,且该第三波段的该第二波长比该第一波段的该第三波长长。
10.如权利要求7所述的薄膜准直器,其中该第三波段的最大波长为一第四波长,且该第一波段的该第一波长比该第三波段的该第四波长短。
11.如权利要求7所述的薄膜准直器,其中该第一波段的最小波长为一第三波长,该第三波段的最大波长为一第四波长,该第一波段的该第一波长比该第三波段的该第四波长短,且该第三波段的该第二波长比该第一波段的该第三波长长。
12.一种薄膜准直器的形成方法,包括:
提供一基底,其具有一光电二极管;
设置一第一遮光层于该基底上,其中该第一遮光层具有对应于该光电二极管的一开口;
设置一干涉型滤光膜于该基底与该第一遮光层之间;以及
设置一吸收型滤光膜于该基底上;
其中当一第一光线以相对于该基底的一上表面的一法线的一第一角度入射时,该干涉型滤光膜在一第一波段的穿透率大于50%,且当一第二光线以相对于该基底的该上表面的该法线的一第二角度入射时,该干涉型滤光膜在一第二波段的穿透率大于50%,该吸收型滤光膜在一第三波段的穿透率大于50%,且其中该第一波段与该第三波段部份重叠,该第二波段不与该第三波段重叠,且该第二角度大于该第一角度。
13.如权利要求12所述的形成方法,更包括:
设置一第二遮光层于该基底与该干涉型滤光膜之间,其中该第二遮光层具有对应于该光电二极管的一开口,且该吸收型滤光膜设置于该第二遮光层的该开口内;以及
设置一发光单元,其设置来将具有一特定波段的光线发射至一物体上,其中该第一波段部份重叠该第三波段于一第四波段,且该特定波段包括该第四波段。
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