[发明专利]一种多层片式瓷片电容的制作方法

权利要求书

1.一种多层片式瓷片电容的制作方法，其特征在于，包括下列依次实施的步骤：瓷桨制备，流延成膜，排胶烧结，倒角，无损探伤，封端烧银，电镀，电压处理，测试；其中，将预制好的陶瓷浆料通过流延方式制成厚度小于10μm陶瓷介质薄膜，然后再介质薄膜上印刷内电极，并将印有内电极的陶瓷介质膜片交替叠合并涂抹乳胶进行压紧，形成多个电容器并联，并在多个电容器并联形成的陶瓷介质体表面包覆上钛酸钡的粉体，在1470℃高温下一次烧结成为一个不可分割的整体芯片，之后在整体芯片的安装外电极的两端设置一层0.1mm的塑料层。

2.根据权利要求1所述的一种多层片式瓷片电容的制作方法，其特征在于，陶瓷介质体表面包覆上钛酸钡的粉体的方法是，以钛酸四丁脂、草酸乙醇和乙酸钡为原料，制得110nm～130nm的钛酸钡粉体，然后将钛酸钡粉体加入pH为10的硅溶胶中，使二氧化硅物质的量占钛酸钡物质的量的2％，经过滤干燥后即可得到陶瓷介质体包覆上钛酸钡的粉体。

3.根据权利要求1所述的一种多层片式瓷片电容的制作方法，其特征在于，陶瓷介质体表面包覆的钛酸钡的粉体的厚度为5nm。

4.根据权利要求1所述的一种多层片式瓷片电容的制作方法，其特征在于，所述排胶烧结在陶瓷晶粒发育充分的钛酸钡半导体陶瓷表面涂覆金属氧化物后再进行热处理，涂覆物与钛酸钡形成低共熔相，沿晶界扩散，在晶界处形成固溶体的绝缘层，最后再被银、烧银以及焊引线得到边界层陶瓷层电容器。