[发明专利]一种金针菇菌丝球的保藏方法在审

专利信息
申请号: 201710882239.X 申请日: 2017-09-26
公开(公告)号: CN107794224A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 周庆林;陈建华 申请(专利权)人: 广东香勤生物科技有限公司
主分类号: C12N1/04 分类号: C12N1/04;C12R1/645
代理公司: 东莞市华南专利商标事务所有限公司44215 代理人: 姜华
地址: 523000 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金针菇 菌丝 保藏 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及菌种的保藏技术领域,具体涉及一种金针菇菌丝球的保藏方法。

背景技术

目前金针菇的菌种保藏方法有斜面低温保藏法,麦粒保藏法,斜面生理盐水保藏法,石蜡封口斜面低温保藏法(此法是在斜面低温保藏法的基础上用石蜡封住试管口,待石蜡凝固即可),麸皮保藏法等;斜面低温保藏法和石蜡封口保藏法保藏周期不长,一般半年左右,时间长,培养基干固,菌丝变黄老化变异;麦粒保藏法制作工艺复杂,麦粒浸泡时间不好掌握,易产生粉孢子;斜面生理盐水保藏操作简单,但存放时间长了斜面易脱壁,斜面培养基漂浮出水面,造成露出部分干固,菌种老化,容易变异,活化时易产生粉孢子影响出菇产量和质量。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种金针菇菌丝球的保藏方法,保藏时间长,不易产生粉孢子,能够保持原菌种优良基因稳定。

本发明的目的通过下述技术方案实现:一种金针菇菌丝球的保藏方法,包括以下步骤:

(1)配料:分别配制斜面培养基、液体培养基和保藏液;

(2)制备斜面菌种:将金针菇菌种接种到所述步骤(1)制备的斜面培养基进行培养,得到斜面菌种;

(3)制备金针菇菌丝球:将所述步骤(2)得到的斜面菌种接种到所述步骤(1)制备的液体培养基中进行培养,得到金针菇菌丝球;

(4)保藏:将所述步骤(3)得到的金针菇菌丝球接种到所述步骤(1)制备的保藏液中在0-4℃温度下保藏。

本发明的金针菇菌种依次通过斜面培养、液体培养基培养、最后将得到的金针菇菌丝球接种在保藏液中并在低温环境下进行保藏,使金针菇菌丝球的培养保藏时间较长,且不易产生粉孢子,并能够保持原菌种优良基因稳定。

本发明通过采用斜面培养,相对于平面培养,斜面为金针菇菌种的繁殖提供更大的繁殖面积,能有效地提高了金针菇菌种的培养效率和培养效果;

本发明通过采用液体培养基培养,通过温和、有序地对培养基进行摇动,能使金针菇菌种的繁殖更均匀,避免金针菇菌种集中繁殖于某空间,提高了金针菇菌种的繁殖效率和繁殖效果。

本发明金针菇菌丝球的保藏方法操作简单,成本低,可行性高,保藏金针菇菌丝球的时间长,且在保藏过程中,金针菇菌丝球不易产生粉孢子,保持原菌种优良基因稳定,不易变异退化,对于优良菌种的保藏有着重大的作用。

本发明的原理是在保藏过程中不对金针菇菌丝球提供营养物质,并且金针菇菌丝球保藏的温度较低,在低温环境中大大地降低或停止了金针菇菌丝球的生长,同时使金针菇菌丝球保持着菌种的生理活性和细胞形态。

所述步骤(1)中,每升斜面培养基的原料包括:马铃薯100-300g、葡萄糖10-30g、琼脂10-30g、硫酸镁0.2-1g、磷酸氢二钾0.5-2g、豆粕3-10g、蛋白胨3-10g和酵母粉1-5g。

所述斜面培养基的制备方法包括如下步骤:取马铃薯100-300g加入1L的水煮熟,然后过滤,得到滤液,向滤液中依次加入葡萄糖10-30g、琼脂10-30g、硫酸镁0.2-1g、磷酸氢二钾0.5-2g、豆粕3-10g、蛋白胨3-10g和酵母粉1-5g加热至溶解,并补水至1L,将得到的培养液在115-130℃温度下灭菌20-40min,待培养液冷却到50-70℃时摆成斜面,然后冷却至20-30℃后即得到斜面培养基。另一优选的,所述步骤(1)中,斜面培养基的制备方法包括如下步骤:取马铃薯200g加入1L的水煮熟,然后过滤,得到滤液,向滤液中依次加入葡萄糖20g、琼脂20g、硫酸镁0.5g、磷酸氢二钾1g、豆粕5g、蛋白胨5g和酵母粉2g加热至溶解,并补水至1L,将得到的培养液在124℃温度下灭菌30min,待装有培养液的试管冷却到60℃时摆成斜面,然后冷却至23℃后即得到斜面培养基。

本发明采用PDA培养基原料制备斜面菌种,能够使得金针菇菌种的能极大的培养效率和培养效果。

斜面培养基的制备方法具体操作过程为,按上述质量称取取马铃薯、葡糖糖、琼脂、硫酸镁、磷酸氢二钾、豆粕5g、蛋白胨和酵母粉,先将马铃薯切成小方块,加入1L的水煮熟而保持不烂,然后用纱布过滤,虑后的滤液与称好的其它原料一起煮,至全部药品溶解,混合均匀为准,最后分装到每一支试管内塞好棉花塞,每支试管分装约10ML;将分装好的试管分每7支一扎放在高压蒸汽灭菌锅中在115-130℃,灭菌20-40min,灭菌结束后,待高压炉中的试管冷却到60摄氏度左右时将试管摆成斜面,尽量让斜面占试管的2/3,摆好后用毛巾盖好,待冷却后使用,即得到斜面培养基。

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