[发明专利]一种锗硅源漏极及其制备方法

权利要求书

1.一种锗硅源漏极之制备方法，其特征在于，所述锗硅源漏极之制备方法，包括：

执行步骤S1：提供硅基衬底，所述硅基衬底内形成第一器件区域和第二器件区域，并在所述硅基衬底上形成栅极，且所述栅极之异于所述硅基衬底的一侧覆盖第一掩膜层，所述硅基衬底内形成的所述第一器件区域为器件密集区，所述硅基衬底内形成的所述第二器件区域为器件稀疏区；

执行步骤S2：在所述第一掩膜层之异于所述硅基衬底的一侧覆盖光刻阻挡层；

执行步骤S3：图案化蚀刻所述第二器件区域之硅基衬底上的第一掩膜层；

执行步骤S4：去除锗硅源漏极之外层的光刻阻挡层；

执行步骤S5：在所述锗硅源漏极之外层覆盖第二掩膜层；

执行步骤S6：图案化刻蚀所述硅基衬底内第一器件区域处之栅极间的第二掩膜层，并蚀刻开硅基衬底内第二器件区域处之栅极间的第二掩膜层；

执行步骤S7：图案化刻蚀所述硅基衬底内第一器件区域处之栅极间的第一掩膜层和所述硅基衬底内之第二器件区域的基体，并进一步蚀刻开所述第一器件区域处的第一掩膜层，且在所述硅基衬底内之第二器件区域的基体处形成凹陷；

执行步骤S8：图案化刻蚀硅基衬底内第一器件区域处之栅极间的基体和所述硅基衬底内之第二器件区域的基体，并分别在所述第一器件区域和所述第二器件区域内形成基体深度不同的第一凹陷结构和第二凹陷结构，所述第一凹陷结构的基体深度小于第二凹陷结构的基体深度；

执行步骤S9：对所述第一器件区域和所述第二器件区域内形成的深度不同之第一凹陷结构和第二凹陷结构进行四甲基氢氧化铵刻蚀，以分别形成第一嵌入式结构和第二嵌入式结构，位于所述第一器件区域内的第一嵌入式结构之深度小于位于所述第二器件区域的第二嵌入式结构之深度；

执行步骤S10：在所述第一嵌入式结构和所述第二嵌入式结构内嵌入锗硅材料，并进行外延生长，使得所述第一器件区域和所述第二器件区域之锗硅材料外延生长的高度一致。

2.如权利要求1所述锗硅源漏极之制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，硅基衬底之第一器件区域处呈纵向层叠依次设置第二掩膜层和第一掩膜层，所述硅基衬底之第二器件区域处仅设置第二掩膜层。

3.如权利要求1所述锗硅源漏极之制备方法，其特征在于，所述步骤S8中，所述第一凹陷结构和所述第二凹陷结构均呈U型。

4.如权利要求1所述锗硅源漏极之制备方法，其特征在于，所述步骤S9中，所述第一嵌入式结构和所述第二嵌入式结构均为Σ结构。