[发明专利]晶圆的测试方法

说明书

本发明提供了一种晶圆的测试方法，包括L1：对所述芯片进行测试项目i(1≤i≤n)的检测，并判断所述芯片是否通过测试；L2：若所述芯片通过测试，所述晶圆测试机进行台阶掉电和台阶上电，并执行步骤L3，若所述芯片未通过测试，结束测试，所述晶圆不合格；L3：判断i是否等于n，若i等于n，结束测试，所述晶圆合格，若i不等于n，取i＝i+1，执行步骤L1。所述晶圆测试机进行台阶掉电和台阶上电，避免了因芯片应答慢而出现测试失效的情况，解决了芯片过宰的问题，提升了测试稳定性，避免了探针卡上电容对芯片的充放电效应，提高了产品良率，并且没有增加任何成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的测试方法。

背景技术

半导体测试工艺属于半导体产业的关键领域，半导体测试包括CP(CircuitProbe)测试，CP(Circuit Probe)测试也称晶圆测试(wafer test)，是半导体器件后道封装测试的第一步，目的是将晶圆中的不良芯片挑选出来。

通常，在晶圆测试步骤中，就需要对所述芯片进行电性测试，以确保在封装之前，晶圆上的芯片是合格产品，因此晶圆测试是提高半导体器件良率的关键步骤之一。但是现有的晶圆测试机不稳定，误判率高，所以晶圆测试稳定性问题一直是困扰晶圆厂生产的主要矛盾问题之一，如果将不准确的测试数据提供给客户，最终会给芯片制造者带来信誉和经济损失，所以产品的测试稳定性问题亟待解决。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆的测试方法，以解决现有技术中存在的测试不稳定，误判率高等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆的测试方法，采用晶圆测试机对晶圆上的每个芯片进行测试，并且具有n个测试项目，n为大于等于1的整数，其特征在于，所述晶圆的测试方法包括：

L1：对所述芯片进行测试项目i的检测，并判断所述芯片是否通过测试，1≤i≤n，并且i为整数；

L2：若所述芯片通过测试，所述晶圆测试机进行台阶掉电和台阶上电，并执行步骤L3，若所述芯片未通过测试，结束测试，所述芯片不合格；

L3：判断i是否等于n，若i等于n，结束测试，所述芯片合格，若i不等于n，取i＝i+1，执行步骤L1；

可选的，所述晶圆包括多个芯片，每个所述芯片均包括上电复位电路；

可选的，所述测试项目包括DC测试和AC测试；

可选的，所述晶圆测试机包括控制单元、判断单元和探针卡，其中，所述控制单元控制所述探针卡和所述判断单元进行工作，所述探针卡用于对所述芯片进行测试并返回测试结果，所述判断单元对所述测试结果进行判断；

可选的，所述晶圆测试机还包一比较单元，用于比较所述晶圆测试机对一芯片完成的测试项目数量与一阈值是否相同；

可选的，所述控制单元发出测试信号，所述探针卡接收所述测试信号并对所述芯片进行测试，测试后将测试结果反馈给所述判断单元；

可选的，所述判断单元获取所述探针卡反馈的测试结果，并根据所述测试结果判断所述芯片是否通过测试；

可选的，所述探针卡包括开关、滤波单元和多个探针，所述开关用于控制所述探针卡是否进行工作，所述滤波单元用于滤除进出芯片的电流的高频成分和低频成分，多个所述探针与芯片进行接触以进行测试；

可选的，所述芯片上设置有测试焊点，所述探针与所述测试焊点接触以进行测试；

可选的，所述晶圆包括嵌入式闪存的晶圆。