[发明专利]电平转换电路和应用电平转换电路的方法

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包括：

第一晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第一晶体管的源极连接于模拟电路电源AVDD，所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管漏极连接；

第二晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第二晶体管的源极连接于所述AVDD，所述第二晶体管栅极与所述第一晶体管栅极相连；

第三晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第三晶体管的漏极连接于所述第一晶体管的漏极，所述第三晶体管的栅极为所述电平转换电路第一输入端，用于接收所述电平转换电路的第一输入信号；

第四晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第四晶体管的漏极连接于所述第二晶体管的漏极，所述第四晶体管的栅极为所述电平转换电路第二输入端，用于接收所述电平转换电路的第二输入信号，所述第二晶体管的漏极与所述第四晶体管的漏极共同连接于所述电平转换电路输出信号的输出端；

导通结构，连接于所述第三晶体管与模拟电路电源AVSS之间，用于根据所述输出端输出信号的反向信号对所述第一晶体管、所述第三晶体管到所述AVSS的电路是否导通进行控制；

占空比调节结构，连接于所述第四晶体管与所述AVSS之间，用于根据所述输出端输出的信号将所述电平转换电路的占空比调节至预定占空比。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述导通结构包括：

第五晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第五晶体管的漏极连接于所述第三晶体管的源极，所述第五晶体管的源极连接于所述AVSS；

第一反相器，所述第一反相器的输入端连接于所述第二晶体管的漏极及第四晶体管的漏极，所述第一反相器的输出端连接于所述第五晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述占空比调节结构包括：

第六晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第六晶体管的漏极连接于所述第四晶体管的源极，所述第六晶体管的源极连接于所述AVSS，所述第六晶体管的栅极连接于所述电平转换电路输出信号的输出端。

4.根据权利要求2或3所述的电平转换电路，其特征在于，还包括：

第二反相器，所述第二反相器的输入端连接于所述第一反相器的输出端，所述第二反相器的输出端替代所述电平转换电路输出信号的输出端。

5.根据权利要求4中所述的电平转换电路，其特征在于，还包括：

第一屏蔽结构，连接于所述第三晶体管和所述AVSS之间，用于屏蔽所述第三晶体管与所述AVSS之间的通路的干扰。

6.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于，还包括：

第二屏蔽结构，连接于所述第四晶体管和所述AVSS之间，用于屏蔽所述第四晶体管与所述AVSS之间的通路的干扰。

7.根据权利要求5所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一屏蔽结构包括：

第七晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第七晶体管的漏极连接于所述第三晶体管的源极，所述第七晶体管的源极连接于所述AVSS，所述第七晶体管的栅极为所述电平转换电路第三输入端，用于接收所述电平转换电路的所述第一输入信号。

8.根据权利要求6所述的电平转换电路，其特征在于，所述第二屏蔽结构包括：

第八晶体管，包括源极、漏极及栅极，所述第八晶体管的漏极连接于所述第四晶体管的源极，所述第八晶体管的源极连接于所述AVSS，所述第八晶体管的栅极为所述电平转换电路第四输入端，用于接收所述电平转换电路的所述第二输入信号。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管为P沟道场效应管PMOS管，所述第三、四、五、六、七、八晶体管为N沟道场效应管NMOS管。

10.一种应用权利要求1至9中任一项所述的电平转换电路的电平转换方法，其特征在于,包括：

在所述第三晶体管的栅极输入待进行电平转换的第一输入信号；

在所述第四晶体管的栅极输入待进行电平转换的所述第一输入信号的反向第二输入信号；

在所述第二晶体管的漏极或所述第四晶体管的漏极输出电平转换后的输出信号，其中，所述AVDD为所述电平转换电路的电源电压。

11.一种数据传输装置，其特征在于，所述数据传输装置包括权利要求1至9中任一项所述的电平转换电路。