[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体层；

第1导电型的源极区域及漏极区域，所述第1导电型的源极区域及漏极区域相互隔开间隔地设置在所述半导体层上；

第1导电型的源极偏移区域，所述第1导电型的源极偏移区域与所述半导体层中的所述源极区域接触，且由比所述源极区域及所述漏极区域低的浓度形成；

第1导电型的漏极偏移区域，所述第1导电型的漏极偏移区域与所述半导体层中的所述漏极区域接触并与所述源极偏移区域隔开间隔地配置，且由比所述源极区域及所述漏极区域低的浓度形成；

槽部，所述槽部设在所述半导体层中的俯视时至少位于所述源极偏移区域与所述漏极偏移区域之间，且在俯视时沿从所述源极偏移区域朝向所述漏极偏移区域的源极漏极方向而设置；

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜覆盖所述槽部的侧面及底面；以及

栅电极，所述栅电极至少设在所述槽部内，且与所述栅极绝缘膜接触，

其中，所述半导体器件还包括接点，所述接点与所述栅电极接触，在俯视时相对于沿所述源极漏极方向延伸的所述槽部内的中心线而在垂直于所述源极漏极方向的第1方向上偏离地配置，并且俯视时设在所述槽部内。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

剖面观察时，在所述栅电极中的所述槽部的上端侧形成有凹部，

所述接点的中心形成为从所述栅电极的所述槽部偏离。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第1晶体管，所述第1晶体管具有第1源极区域、第1漏极区域、所述源极偏移区域、所述漏极偏移区域、第1栅极绝缘膜和设在所述槽部中的第1栅电极；以及

第2晶体管，所述第2晶体管具有在所述半导体层上相互隔开间隔地设置的第1导电型或第2导电型的第2源极区域及第2漏极区域、设在由所述第2源极区域及所述第2漏极区域所夹着的位置之上的第2栅极绝缘膜、及设在所述第2栅极绝缘膜之上的第2栅电极，

其中，所述第2晶体管设在与所述第1晶体管相同的所述半导体层上，且在俯视时与所述第1晶体管位于不同的位置上。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

元件隔离用槽部，其设在所述第1晶体管与所述第2晶体管之间，所述元件隔离用槽部以与所述槽部相同的深度而形成；

沟槽绝缘膜，其覆盖所述元件隔离用槽部的侧面及底面，所述沟槽绝缘膜用与所述栅极绝缘膜相同的材料形成；以及

沟槽填埋膜，其在俯视时仅设在所述元件隔离用槽部中，所述沟槽填埋膜与所述沟槽绝缘膜接触，且由与所述栅电极相同的导电性材料形成。